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本发明涉及一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准硅化物工艺中，其特征在于，所述方法包括提供一衬底；于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的氢；旋涂光刻胶覆盖所...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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