一种用于硅基片表面处理的喷丸材料和硅基片的制备方法技术

一种用于硅基片表面处理的喷丸材料和硅基片的制备方法。所述喷丸材料，包括碳化硅颗粒，所述碳化硅颗粒的中粒径为1μm～30μm。所述硅基片的制备方法，硅基片的至少一个表面经由所述喷丸材料以轰击的方式进行表面处理。因为用于轰击的碳化硅颗粒的粒径较小，仅在所述硅基片第一表面形成厚度较小的机械损伤层，所以在后续的化学处理过程中，化学腐蚀液中不需要添加浓硫酸，且可以将腐蚀和清洁步骤合为一个步骤，减少工艺流程时间，降低工艺成本的效果，同时，友好环境。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅基片的处理技术，具体涉及用于硅基片表面处理的喷丸材料及ー种硅基片的制备方法。
技术介绍
硅太阳能电池是以硅片作为基片，太阳能电池的正面面向太阳光，被太阳光照射，并吸收太阳光，并把太阳光能转换成电能。太阳能电池正面吸收太阳光所转换成的电能通·过太阳能电池的正负电极输出电流汇集，供给任何需要电能的设备或装置。提高太阳能电池光电转换效率的ー个重要手段是降低太阳能电池正面对太阳光的反射率。而在太阳能电池的正面形成粗糙绒面结构是降低反射率的有效手段。第200510029562. X号中国专利(以下简称’ 562专利)掲示了在硅基片表面形成绒面结构的方法，包括以下エ艺步骤步骤1，用平均颗粒度为300目的碳化硅砂，在IKglKg的压カ下，硅基片的正面进行喷砂处理，除去硅基片正面上的某些膜，例如，氮化硅膜，氮化钛膜，碳化硅膜。通过喷砂处理使有缺陷的硅层暴露在外面，并使硅基片正面形成粗糙表面，粗糙度大于0. 3 y m，而硅基片的背面保持光滑表面；步骤2，将其正面形成粗糙结构的硅基片浸溃到酸腐蚀溶液，经过该腐蚀处理的硅晶基片正面具有粗糙的绒面结构，而硅片背面确变成了光滑表面，绒面结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于硅基片表面处理的喷丸材料，包括碳化硅颗粒，其特征在于，所述碳化硅颗粒的中粒径的范围是1μm~30μm。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：万丹丹，王菲，史玛利亚，
申请(专利权)人：圣戈班研发上海有限公司，圣戈班陶瓷材料牡丹江有限公司，
类型：发明
国别省市：