【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术提供能够应对高密度化且可靠性也优异的半导体元件搭载用封装基板的制法等。该半导体元件搭载用封装基板的制造方法等具有如下工序：准备层叠有第1载体金属箔、第2载体金属箔和基体金属箔的多层金属箔，与基材进行层叠而形成芯基板的工序；在前述多层金属箔的第1载体金属箔与第2载体金属箔之间，物理剥离第1载体金属箔的工序；在第2载体金属箔上形成第1图案镀层的工序；在第1图案镀层上形成绝缘层、导体电路和层间连接而形成层叠体的工序；将层叠体和载体金属箔一起从芯基板分离的工序；以及通过蚀刻而形成埋入电路或立体电路的工序。【专利说明】半导体元件搭载用封装基板的制造方法、半导体元件搭载用封装基板以及半导体封装
本专利技术涉及能够高密度化的半导体元件搭载用封装基板的制造方法、半导体元件搭载用封装基板以及半导体封装，更详细而言，涉及具备与具有凸块的半导体元件连接的倒装芯片连接端子的半导体元件搭载用封装基板的制造方法、半导体元件搭载用封装基板以及半导体封装。
技术介绍
作为将半导体元件和半导体元件搭载用封装基板(以下，有时将“半导体元件搭载用封装基板”称为“封装基板”...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：田村匡史，川崎沙织，若林昭彦，铃木邦司，坪松良明，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：
国别省市：
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