本实用新型专利技术涉及电子技术领域，是多联半导体晶块，其特征是：它包括多个致冷晶片个体，后一个致冷晶片个体的电流进入导线就是前一个致冷晶片的电流流出导线，这样的多联半导体晶块具有致冷效率更高、效果更好的优点。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
多联半导体晶块，其特征是：它包括多个致冷晶片个体，后一个致冷晶片个体的电流进入导线就是前一个致冷晶片的电流流出导线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：和俊莉，王丹，张文涛，陈磊，钱俊有，蔡水占，刘栓红，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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