具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法技术

本发明专利技术提供一种具p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板及制备方法。该方法包括齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板；于该具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理，得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板；以及使用物理气相沉积法(PVD)在该具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层(p-type?layer)，得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。本发明专利技术利用PVD形成该非晶质硅p型层，藉以避免透明导电氧化物薄膜的基板氧化需要再处理，而使后续应用简便，并显著降低成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法，其特征在于，所述制备具有p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板的方法包括下列步骤：齐备一具有透明导电氧化物薄膜的基板；于所述具有透明导电氧化物薄膜的基板的表面形成纹理，得到一具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板；以及使用物理气相沉积法在所述具有纹理表面结构的具有透明导电氧化物薄膜的基板上形成一非晶质硅p型层，得到一具备p型非晶质硅及透明导电氧化物薄膜的基板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨能辉，
申请(专利权)人：光洋应用材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：