一种弱光非晶硅太阳能电池芯片制造方法技术

本发明专利技术提供了一种弱光非晶硅太阳能电池芯片制造方法，所述方法包括如下步骤：制作导电玻璃、生成非晶硅层、刻划非晶硅层、镀背电极层、引出电极。本发明专利技术的非晶硅太阳能电池芯片的制作方法采用的是掩膜和磁控溅射方法，省去了酸碱腐蚀工艺步骤和丝网印刷步骤，使得背电极附着力更稳定，电性能得以提高，并提高了工作效率和产量、降低生产成品，在同行业也有一定的竞争力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种弱光非晶硅太阳能电池芯片制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)制作导电玻璃在玻璃基板上设置透明导电膜，用红外光将导电膜刻划成多个导电膜小单元，相邻的导电膜小单元之间间隔一定距离；(2)生成非晶硅层将导电玻璃预热，在真空腔室中进行非晶硅薄膜沉积，在透明导电膜表面沉积P?I?N结构的非晶硅薄膜层；(3)刻划非晶硅层利用绿激光在非晶硅层表面刻划多条相互分割的非晶硅层沟道，所述非晶硅层沟道深度达到导电膜；(4)镀背电极层在非晶硅层表面镀铝和铜镍膜，形成背电极，利用绿激光在背电极刻蚀多条相互隔开的背电极沟道，背电极沟道深度达到非晶硅层；(5)引出电极在背电极层表面上贴一层保护膜，并在保护膜上引出连接背电极层的正负极引线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邓文忠，
申请(专利权)人：浙江慈能光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：