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本发明提供了一种弱光非晶硅太阳能电池芯片制造方法，所述方法包括如下步骤：制作导电玻璃、生成非晶硅层、刻划非晶硅层、镀背电极层、引出电极。本发明的非晶硅太阳能电池芯片的制作方法采用的是掩膜和磁控溅射方法，省去了酸碱腐蚀工艺步骤和丝网印刷步骤，...
该专利属于浙江慈能光伏科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江慈能光伏科技有限公司授权不得商用。

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