【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法，其特征在于：步骤如下：步骤1：以陶瓷板为衬底；步骤2：在衬底上涂覆石墨薄膜，石墨薄膜的厚度为1?10微米；步骤3：在涂覆石墨薄膜的衬底上采用化学气相沉积方法制备多晶硅薄膜；步骤4：采用退火方法使多晶硅薄膜与衬底分离；步骤5：分离后的陶瓷板衬底用来再重复沉积多晶硅薄膜。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈诺夫，辛雅焜，何海洋，吴强，弭辙，白一鸣，高征，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：
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