【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种多晶硅的制备方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)将掺有电活性掺杂剂的硅料装入石英坩埚内,把石英坩埚装入铸锭炉的隔热笼内;(2)控制铸锭炉加热器的温度为1535—1565℃,使硅料完全熔化,当硅料熔化完全时,控制石英坩埚内底部的温度为1380—1420℃;?(3)以150—200℃/h的降温速度使铸锭炉加热器的温度降至1425—1440℃后保温30—90min;(4)以6—8mm/min的速度提升铸锭炉中的隔热笼,使隔热笼底部与铸锭炉下炉腔底部保温层之间的距离为6—8cm,使硅料在石英坩埚底部内面的石英砂表面形核结晶,形成形核源层后进入长晶期;在长晶初期,控制铸锭炉加热器的温度为1425—1440℃,控制隔热笼提升速度为3—5mm/h;在长晶中后期,以1—2℃/h的降温速度使铸锭炉加热器降温,同时控制隔热笼提升速度为6—10mm/h;(5)将经过上述步骤处理后硅料上长出的晶体再经退火、冷却后即得多晶硅。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:谭晓松,段金刚,
申请(专利权)人:湖南红太阳光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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