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本发明公开了一种多晶硅的制备方法。该方法采用孪晶生长控制技术，通过对普通多晶工艺进行优化，将隔热笼迅速打开，调节隔热笼的开度在6—8cm，长晶初期，调节加热器温度为1425—1440℃，缓慢提升隔热笼，沿坩埚底部纵向在形核源层上面生长成一层...
该专利属于湖南红太阳光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖南红太阳光电科技有限公司授权不得商用。

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