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高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪制造技术

技术编号:9381182 阅读:233 留言:0更新日期:2013-11-27 23:40
本发明专利技术提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪,其特征包括:3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路;所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成;所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成;所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1~TX4、500型万用表组成。本发明专利技术所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪,它包括3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、晶体管测试接口和万用表接口电路,其特征在于:所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成,NPN型晶体管VT1的基极通过电阻R1接电位器RP的一端,电位器RP的另一端及其活动端接高频变压器T初级线圈L1的异名端,NPN型晶体管VT1的集电极接初级线圈L2的同名端,高频变压器T初级线圈L2的异名端和初级线圈L1的同名端接电路正极VCC,NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND;所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成,高频变压器T的升压线圈L3的同名端接快恢复二极管Dl的正极,快恢复二极管Dl的负极接高压瓷片电容C2的一端和限流电阻R2的一端,高频变压器T的升压线圈L3的异名端接高压瓷片电容C2的另一端;所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1~TX4、500型万用表组成,接线柱TX1和接线柱TX3接限流电阻R2的另一端和500型万用表的正表笔,接线柱TX2和接线柱TX4接高频变压器T的升压线圈L3的异名端和500型万用表的负表笔;所述的3V直流电源正极通过电源开关SW接电路正极VCC和电解电容C1的正极,3V直流电源负极接电路地GND和电解电容C1的负极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄月华
申请(专利权)人:黄月华
类型:发明
国别省市:

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