高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪制造技术

本实用新型专利技术提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，其特征包括：3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路；所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成；所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成；所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1～TX4、500型万用表组成。本实用新型专利技术所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，其特征包括：3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、测试接口和万用表接口电路；所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成；所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成；所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1～TX4、500型万用表组成。本技术所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪配合500型万用表可测量电压高达1200V,能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。【专利说明】高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪
本技术属于电子元件测量
，是关于一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪。
技术介绍
测量高反压硅晶体管反向击穿电压是电子工作者都感到比较困难的事情，常用的JT 一 I型晶体管特性图示仪最高电压也只能测量到200V，显然不能测量高反压硅晶体管的耐压特性。本技术所述的一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪是配合500型万用表一个附加装置。它的测量电压范围是O?1200V，能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。以下详细说明本技术所述的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪在实施过程中所涉及的有关
技术实现思路
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技术实现思路
专利技术目的及有益效果:测量高反压硅晶体管反向击穿电压是电子工作者都感到比较困难的事情，常用的JT -1型晶体管特性图示仪最高电压也只能测量到200V，显然不能测量高反压硅晶体管的耐压特性。本技术所述的一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪是配合500型万用表一个附加装置。它的测量电压范围是O?1200V，能够满足测量高反压硅晶体管反向击穿电压的技术要求。电路工作原理:电路可看作是一个高压恒流源向被测高反压硅晶体管供电，用500型万用表可直接读出高反压硅晶体管的反向击穿电压。电路实质上是一个反馈式直流逆变器，它将3V直流电压逆变为1200V的高压。电路接通电源后，由于高频变压器T的初级线圈LI与初级线圈L2之间的耦合反馈作用，使电路形成强烈振荡，振荡电压经过升压线圈L3，由快恢复二极管Dl整流后向高压电容C2充电，使高压电容C2两端获得约1200V直流电。此高压经高阻值限流电阻R2施加到被测晶体管上，使得高反压硅晶体管击穿，接在被测晶体管两端的500型万用表就能直接读出高反压硅晶体管的反向击穿电压。由于限流电阻R2的阻值很大，可以起到恒流源作用，且被测高反压硅晶体管击穿时的电流很小，不会使被测高反压硅晶体管损坏。技术方案:高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，它包括3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、晶体管测试接口和万用表接口电路，其特征在于:反馈式直流逆变电路:它由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈LI和初级线圈L2、电阻Rl及电位器RP组成，NPN型晶体管VTl的基极通过电阻Rl接电位器RP的一端，电位器RP的另一端及其活动端接高频变压器T初级线圈LI的异名端，NPN型晶体管VTl的集电极接初级线圈L2的同名端，高频变压器T初级线圈L2的异名端和初级线圈LI的同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VTl的发射极接电路地GND ；升压整流及滤波电路:它由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成，高频变压器T的升压线圈L3的同名端接快恢复二极管Dl的正极，快恢复二极管Dl的负极接高压瓷片电容C2的一端和限流电阻R2的一端，高频变压器T的升压线圈L3的异名端接高压瓷片电容C2的另一端；晶体管测试接口和万用表接口电路:它由4个接线柱TXl~TX4、500型万用表组成，接线柱TXl和接线柱ΤΧ3接限流电阻R2的另一端和500型万用表的正表笔，接线柱ΤΧ2和接线柱ΤΧ4接高频变压器T的升压线圈L3的异名端和500型万用表的负表笔；3V直流电源正极通过电源开关SW接电路正极VCC和电解电容Cl的正极，3V直流电源负极接电路地GND和电解电容Cl的负极。【专利附图】【附图说明】附图是本技术提供一个高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪的实施例电路工作原理图；ΤΧ1~ΤΧ4为4个接线柱，接线柱ΤΠ和接线柱ΤΧ2用来接待测高反压硅晶体管，接线柱ΤΧ3和接线柱ΤΧ4则用来接500型万用表。【具体实施方式】按照附图所示的高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪电路工作原理图和【专利附图】【附图说明】，并按照
技术实现思路
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本技术，以下结合实施例对本技术的相关技术作进一步的描述。元器件的选择及技术参数VTl为NPN型晶体管，可采用2SC1008等型号，要求BVceo≥60V、Icm≥0.8Α、β ≥ 50 ；Dl为快恢复二极管，选用的型号为FR108，要求反向工作电压≥1500V ；电阻全部使用金属膜电阻、功率为1/4W，电阻Rl的阻值为240Ω，限流电阻R2的阻值为IM Ω ；RP为电位器，其阻值为1.2ΚΩ、功率为IW ;Cl为电解电容，选用的型号为⑶11，其容量为470yF/10V ；C2为高压瓷片电容，其容量为1000PF/2KV ；3V直流电源可用两节2号锰锌电池。电路制作要点、电路调试及使用方法高频变压器T的制作:用导磁率为1500或2000的EE20型磁芯，用配套的骨架绕制，先绕初级线圈L1、L2，初级线圈L1、L2用<2 0.35mm漆包线双股并绕10匝，初级线圈LI的同名端与初级线圈L2的异名端相接为中心抽头；升压线圈L3用<2 0.17mm高强度漆包线绕260匝，层间必须加绝缘胶带，以防止初级线圈与升压线圈之间高压打火。由于电路工作电流较小，且初级线圈匝数又少，不存在磁饱和问题，所以磁芯装配时不需加气隙。在高频变压器T制作与接线时，应注意区别线圈的同名端，在附图上同名端标有“.”；TXl~TX4为4个接线柱，接线柱TXl、接线柱TX2用来接待测高反压硅晶体管，接线柱TX3、接线柱TX4则用来接500型万用表；因高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪的电路结构比较简单，一般情况下只要选用的电子元器件性能完好，并按照说明书附图中的元器件连接关系进行焊接，物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后，本技术的电路基本不需要进行任何调试，接通3V直流电源即可正常工作；在电路调试时，将接线柱TX3、TX4接500型万用表的直流电压2500V档，接通电路电源开关SW，用螺丝刀微调电位器RP，使500型万用表的读数在1200V左右，此时NPN型晶体管VTl的集电极电流约为180mA ；如果输出直流电压只有200V左右，说明高频变压器T线圈的同名端接反了，可先将升压线圈L3的两端对调一下试之，若输出直流电压仍然不对，可再将初级线圈LI或初级线圈L2的同名端与异名端对调一试；在测试高反压硅晶体管时，只要将被测高反压硅晶体管与接线柱TX1、接线柱TX2连接，在接线柱TX3、TX4上接好500型万用表，万用表上的读数即为高反压硅晶体管的反向击穿电压值；高反压硅晶体管反本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高反压硅晶体管反向击穿电压测试仪，它包括3V直流电源、反馈式直流逆变电路、升压整流滤波电路、晶体管测试接口和万用表接口电路，其特征在于：所述的反馈式直流逆变电路由NPN型晶体管VT1、高频变压器T的初级线圈L1和初级线圈L2、电阻R1及电位器RP组成，NPN型晶体管VT1的基极通过电阻R1接电位器RP的一端，电位器RP的另一端及其活动端接高频变压器T初级线圈L1的异名端，NPN型晶体管VT1的集电极接初级线圈L2的同名端，高频变压器T初级线圈L2的异名端和初级线圈L1的同名端接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极接电路地GND；所述的升压整流及滤波电路由高频变压器T的升压线圈L3、快恢复二极管Dl、高压瓷片电容C2和限流电阻R2组成，高频变压器T的升压线圈L3的同名端接快恢复二极管Dl的正极，快恢复二极管Dl的负极接高压瓷片电容C2的一端和限流电阻R2的一端，高频变压器T的升压线圈L3的异名端接高压瓷片电容C2的另一端；所述的晶体管测试接口和万用表接口电路由4个接线柱TX1～TX4、500型万用表组成，接线柱TX1和接线柱TX3接限流电阻R2的另一端和500型万用表的正表笔，接线柱TX2和接线柱TX4接高频变压器T的升压线圈L3的异名端和500型万用表的负表笔；所述的3V直流电源正极通过电源开关SW接电路正极VCC和电解电容C1的正极，3V直流电源负极接电路地GND和电解电容C1的负极。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄月华，
申请(专利权)人：黄月华，
类型：实用新型
国别省市：