渐亮延迟渐暗夜灯制造技术

本发明专利技术提供了一种渐亮延迟渐暗夜灯，其特征包括：220V交流电源、12V稳压电源、快速充电电路、缓慢放电电路、触发电平形成电路、白炽灯泡驱动电路。常见的延时照明灯典型的工作方式：照明灯在点亮并工作一段时间后熄灭，照明灯要么全亮，要么熄灭，照明灯的点亮与熄灭之间亮度没有状态过度。尤其在夜间漆黑的房间里，照明灯突然断电熄灭，因眼睛瞳孔缩小瞬间什么也看不到，这种情况不仅对人的眼睛有很大的影响，而且不利于如厕后安然入睡。本发明专利技术所述的渐亮延迟渐暗夜灯，它有着柔和的光线，其灯光亮度先是慢慢地变暗，然后再慢慢地变暗，渐暗过程大约持续60多秒，它非常适合人们眼睛的生理需求。

【技术实现步骤摘要】
渐亮延迟渐暗夜灯
本专利技术属于电子自动控制和照明
，是关于一种渐亮延迟渐暗夜灯。
技术介绍
众所周知：常用的照明灯在夜间开灯瞬间，太强的光线使处于黑暗中的眼睛容易受到较大刺激，这对夜间如厕者多有不适，夜间如厕使用夜灯应该是首要选折。在黑暗的房间里，有了微弱的夜灯照明可为起夜者引路，半夜起来如厕使您非常方便。常见的延时照明灯典型的工作方式：照明灯在点亮并工作一段时间后熄灭，照明灯要么全亮，要么熄灭，照明灯的点亮与熄灭之间亮度没有状态过度。尤其在夜间漆黑的房间里，照明灯突然断电熄灭，因眼睛瞳孔缩小瞬间什么也看不到，这种情况不仅对人的眼睛有很大的影响，而且不利于如厕后安然入睡。本专利技术所述的渐亮延迟渐暗夜灯，它有着柔和的光线，其灯光亮度先是慢慢地变暗，渐暗过程大约持续60多秒，它非常适合人们眼睛的生理需求。以下详细说明本专利技术所述的渐亮延迟渐暗夜灯在实施过程中所涉及必要的、关键性
技术实现思路
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技术实现思路
专利技术目的及有益效果：常见的延时照明灯典型的工作方式：照明灯在点亮并工作一段时间后熄灭，照明灯要么全亮，要么熄灭，照明灯的点亮与熄灭之间亮度没有状态过度。尤其在夜间漆黑的房间里，照明灯突然断电熄灭，因眼睛瞳孔缩小瞬间什么也看不到，这种情况不仅对人的眼睛有很大的影响，而且不利于如厕后安然入睡。本专利技术所述的渐亮延迟渐暗夜灯，它有着柔和的光线，其灯光亮度先是慢慢地变暗，渐暗过程大约持续60多秒，它非常适合人们眼睛的生理需求。电路工作原理：当渐亮延迟渐暗夜灯电路中的启动开关AN合上的瞬间，由启动开关AN、电解电容C1、NPN型晶体管VT1组成快速充电电路，电解电容C1在瞬间被充满电量，NPN型晶体管VT1迅速导通，接着为电解电容C2充电，当电解电容C2充得电量可以使N沟道场效应管VT2导通时，由双向触发二极管DS逐步触发双向可控硅BCR使其导通，那么白炽灯泡HL也逐渐变亮(缓慢点亮)。当断开启动开关AN后，因电解电容C1和电解电容C2上所充的电压，其放电需要一个很长的时间过程，所以N沟道场效应管VT1的栅极也得到一个逐渐变低的偏置电压，致使N沟道场效应管VT1的导通角逐渐向减小的状态过度，从而使白炽灯泡HL由全电压供电变为逐渐降压供电状态，白炽灯泡HL也将逐渐变暗。技术方案：渐亮延迟渐暗夜灯，它包括220V交流电源、12V稳压电源、快速充电电路、缓慢放电电路、触发电平形成电路、白炽灯泡驱动电路，其特征在于：快速充电电路：它由启动开关AN、电解电容C1、NPN型晶体管VT1组成，NPN型晶体管VT1的基极接启动开关AN的一端和电解电容C1的正极，启动开关AN的另一端和NPN型晶体管VT1的集电极接电路正极VCC，电解电容C1的负极接电路地GND，NPN型晶体管VT1的发射极接缓慢放电电路；缓慢放电电路：它由电阻R1、电解电容C2和电阻R2组成，NPN型晶体管VT1的发射极接电解电容C2的正极、电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端接电路正极VCC，电解电容C2的负极和电阻R2的另一端接电路地GND；触发电平形成电路：它由N沟道场效应管VT1和电阻R3组成，N沟道场效应管VT1的栅极接NPN型晶体管VT1的发射极，N沟道场效应管VT1的漏极接电路正极VCC，N沟道场效应管VT2的源极通过电阻R3接电路地GND；白炽灯泡驱动电路：它由双向触发二极管DS、双向可控硅BCR、白炽灯泡HL组成，N沟道场效应管VT1的源极通过双向触发二极管DS接双向可控硅BCR的控制极G，双向可控硅BCR的第一阳极T1接220V交流电源火线端L，双向可控硅BCR的第二阳极T2通过白炽灯泡HL接电路地GND；12V稳压电源：它由降压电容C4、泄放电阻R4及硅整流二极管D1、硅稳压二极管DW和电解电容C3组成，硅稳压二极管DW的稳压值为12V，降压电容C4的一端和泄放电阻R4的一端接220V交流电源火线端L，降压电容C4的另一端和泄放电阻R4的另一端接硅整流二极管D1的正极，硅整流二极管D1的负极接硅稳压二极管DW的负极和电解电容C3的正极，硅稳压二极管DW的正极和电解电容C3的负极接电路地GND；12V稳压电源的正极与电路正极VCC相连，12V稳压电源的负极与电路地GND及220V交流电源零线端N相连。附图说明附图1是本专利技术提供一个渐亮延迟渐暗夜灯的实施例电路工作原理图。具体实施方式按照附图1所示的渐亮延迟渐暗夜灯电路工作原理图和附图说明，并按照
技术实现思路
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本专利技术，以下结合实施例对本专利技术的相关技术作进一步的描述。元器件的名称及其主要技术参数VT1为NPN型晶体管，其选用的型号为2SC9013或3DG12；VT2为N沟道场效应管，选用的型号为IRFZ22；BCR为双向可控硅，采用的技术参数为1A、450V的双向可控硅；D1为硅整流二极管，选用的型号为1N4007；DW为硅稳压二极管，使用的稳压值为12V、功率为1W；DS为双向触发二极管，选用的型号为DB3，要求正反向电压对称性一致的双向触发二极管；电阻全部使用金属膜电阻，功率均为1/8W；电阻R1的阻值为980KΩ；电阻R2的阻值为240KΩ；电阻R3的阻值为4.7KΩ；泄放电阻R4的阻值为680KΩ、功率1W；C1为电解电容，容量为220μF/25V；C2为电解电容，其容量为100μ/25V；C3为电解电容，使用的型号CD11-10，其容量为1000μ/25V；C4为降压电容，容量为0.68μF/450V的涤纶电容；HL为白炽灯泡，使用功率为3～5W/220V白炽灯泡。电路制作要点及电路调试因渐亮延迟渐暗夜灯的电路结构比较简单，一般情况下只要选用的电子元器件性能完好，并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接，物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后，本专利技术的电路只需要进行简单地调试即可正常工作；渐亮延迟渐暗夜灯的电路调试：电阻R1的阻值范围620KΩ～980KΩ，电阻R2的阻值范围200KΩ～270KΩ，电解电容C1为330μF/25V～680μF/25V，对应的慢亮时间大约为18～24秒，对应的渐暗时间大约为35～44秒；白炽灯泡HL两端的电压相当于交流电电压214V，逐渐降低到60V以下，白炽灯泡HL最后可维持最暗状态。本专利技术的电路结构设计、元器件布局，以及它的外观形状及其尺寸大小等均不是本专利技术的关键技术，也不是本专利技术要求保护的关键性
技术实现思路
，因不影响本专利技术具体实施过程和专利技术目的的实现，故不在说明书中一一说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种渐亮延迟渐灭夜灯，它包括220V交流电源、12V稳压电源、快速充电电路、缓慢放电电路、触发电平形成电路、白炽灯泡驱动电路，其特征在于：所述的快速充电电路由启动开关AN、电解电容C1、NPN型晶体管VT1组成，NPN型晶体管VT1的基极接启动开关AN的一端和电解电容C1的正极，启动开关AN的另一端和NPN型晶体管VT1的集电极接电路正极VCC，电解电容C1的负极接电路地GND，NPN型晶体管VT1的发射极接缓慢放电电路；所述的缓慢放电电路由电阻R1、电解电容C2和电阻R2组成，NPN型晶体管VT1的发射极接电解电容C2的正极、电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端接电路正极VCC，电解电容C2的负极和电阻R2的另一端接电路地GND；所述的触发电平形成电路由N沟道场效应管VT1和电阻R3组成，N沟道场效应管VT1的栅极接NPN型晶体管VT1的发射极，N沟道场效应管VT1的漏极接电路正极VCC，N沟道场效应管VT2的源极通过电阻R3接电路地GND；所述的白炽灯泡驱动电路由双向触发二极管DS、双向可控硅BCR、白炽灯泡HL组成，N沟道场效应管VT1的源极通过双向触发二极管DS接双向可控硅BCR的控制极G，双向可控硅BCR的第一阳极T1接220V交流电源火线端L，双向可控硅BCR的第二阳极T2通过白炽灯泡HL接电路地GND；所述的12V稳压电源由降压电容C4、泄放电阻R4及硅整流二极管D1、硅稳压二极管DW和电解电容C3组成，硅稳压二极管DW的稳压值为12V，降压电容C4的一端和泄放电阻R4的一端接220V交流电源火线端L，降压电容C4的另一端和泄放电阻R4的另一端接硅整流二极管D1的正极，硅整流二极管D1的负极接硅稳压二极管DW的负极和电解电容C3的正极，硅稳压二极管DW的正极和电解电容C3的负极接电路地GND；所述的12V稳压电源的正极与电路正极VCC相连，12V稳压电源的负极与电路地GND及220V交流电源零线端N相连。...

【技术特征摘要】
1.一种渐亮延迟渐灭夜灯，它包括220V交流电源、12V稳压电源、快速充电电路、缓慢放电电路、触发电平形成电路、白炽灯泡驱动电路，其特征在于：所述的快速充电电路由启动开关AN、电解电容C1、NPN型晶体管VT1组成，NPN型晶体管VT1的基极接启动开关AN的一端和电解电容C1的正极，启动开关AN的另一端和NPN型晶体管VT1的集电极接电路正极VCC，电解电容C1的负极接电路地GND，NPN型晶体管VT1的发射极接缓慢放电电路；所述的缓慢放电电路由电阻R1、电解电容C2和电阻R2组成，NPN型晶体管VT1的发射极接电解电容C2的正极、电阻R1的一端和电阻R2的一端，电阻R1的另一端接电路正极VCC，电解电容C2的负极和电阻R2的另一端接电路地GND；所述的触发电平形成电路由N沟道场效应管VT1和电阻R3组成，N沟道场效应管VT1的栅极接NPN型晶体管VT1的发射极，N沟道场效应管VT1的漏极接电路正极VCC，N沟道场效应...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄月华，
申请(专利权)人：黄月华，
类型：发明
国别省市：安徽,34