【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体存储装置，与其他半导体存储装置层迭而形成多芯片封装，该半导体存储装置包括：非易失性存储构件，储存ID码与上位地址，其中该ID码在组装处理前写入该非易失性存储构件。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：小川晓，仲家睦哉，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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