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本发明披露了半导体存储装置及其ID码及上位地址写入方法。快闪存储器的半导体芯片D1～DN层迭而呈多芯片封装（MCP），每个半导体芯片D1～DN包括用以储存ID码与上位地址的快闪存储器的存储单元阵列。ID码于组装处理前写入存储单元阵列20的熔...
该专利属于力晶科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶科技股份有限公司授权不得商用。

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