存储器阵列及相关联制造方法技术

本文中揭示存储器阵列及相关联制造方法。在一个实施例中，存储器阵列包含沿第一方向延伸的存取线以及沿不同于所述第一方向的第二方向延伸的第一接触线及第二接触线。所述第一与第二接触线彼此大体平行。所述存储器阵列还包含存储器节点，所述存储器节点包含电连接于所述存取线与所述第一接触线之间以形成第一电路的第一存储器单元，及电连接于所述存取线与所述第二接触线之间以形成不同于所述第一电路的第二电路的第二存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本技术一般来说是针对。
技术介绍
存储器单元(例如，浮动栅极晶体管或PCRAM单元)通常以连接到由多个字线及位线形成的栅格的阵列布置。所 述字线彼此大体平行且垂直于所述位线。所述存储器单元中的每一者形成所述阵列的一节点，且每一节点连接到特定对的字线及位线。在操作中，可通过给特定对的字线及位线通电、同时使剩余字线及位线浮动或对剩余字线及位线相反地偏置来个别地存取每一存储器单元。然而，所述存储器阵列的常规布置每节点不可容纳一个以上存储器单元。如果所述存储器阵列每节点包含连接到一对字线及位线的两个存储器单元，那么给所述对字线及位线通电将同时给两个平行存储器单元通电。因此，可能不个别地寻址或存取所述两个存储器单元。因此，可能需要对存储器阵列的某些改进以每节点容纳一个以上存储器单元
技术实现思路
附图说明图IA是根据本技术的实施例的非正交存储器阵列的示意性电路图。图IB是图IA的非正交存储器阵列中的存储器节点的示意性电路图。图2是根据本技术的实施例的图I中的非正交存储器阵列的一个实施方案的透视图。图3是根据本技术的实施例的图2中的非正交存储器阵列的俯视图。图4A是根据本技术的实施例的对图2中的非正交存储器阵列有用的两单元存储器子组合件的透视图。图4B是根据本技术的实施例的对图2中的非正交存储器阵列有用的另一两单元存储器子组合件的横截面图。图5A到5K是根据本技术的实施例的经历对形成图2的非正交存储器阵列的数个实施例有用的过程的衬底材料的一部分的俯视图及横截面图。图6是根据本技术的其它实施例的经配置以每节点容纳多个存储器单元的正交存储器阵列的示意性电路图。图7是根据本技术的实施例的图6中的正交存储器阵列的一个实施方案的俯视图。图8A到8F是根据本技术的实施例的经历对形成图7的正交存储器阵列的数个实施方案有用的过程的半导体衬底的一部分的俯视图及横截面图。具体实施方式下文参考来描述本技术的数个实施例。下文参考半导体衬底描述某些实施例的许多细节。全文中，使用术语“半导体衬底”来包含各种制品，例如，包含个别集成电路裸片、传感器裸片及/或具有其它半导体特征的裸片。可使用下文所描述的工艺中的数个工艺来在晶片或晶片的一部分上形成存储器阵列。所述晶片或晶片部分(例如，晶片形式)可包含未经单个化的晶片或晶片部分或经重新填充的载体晶片。所述经重新填充的载体晶片可包含由粘合剂材料(例如，柔性粘合剂)及大体刚性框架环绕的经单个化的元件(例如，裸片)。在图I到8F中且在下文中阐明某些实施例的许多特定细节以提供对这些实施例的透彻理解。数个其它实施例可具有不同于本专利技术中所描述配置、组件及/或工艺的配置、组件及/或工艺。因此，所属领域的技术人员将了解，可在不具有图I到8F中所展示的实施例的细节中的数个细节的情况下实践额外实施例。图IA是根据本技术的数个实施例的非正交存储器阵列100的一部分的示意性电路图，且图IB是图IA的非正交存储器阵列中的存储器节点106的示意性电路图。如本文中所使用，术语“正交”通常描述为垂直的位置关系。术语“非正交”通常描述为倾斜或斜交的位置关系。如图I中所展示，存储器阵列100可包含栅格101及由栅格101携载的多个存储器节点106。尽管图IA中仅展示存储器阵列100的某些组件，但在某些实施例中，存储器阵列100还可包含外围电路、寄存器及/或其它适合的组件。栅格101可包含多个接触线102及多个存取线104。接触线102彼此大体平行，且存取线104彼此大体平行。在所图解说明的实施例中，接触线102包含第一到第七接触线102a到102g，且存取线104包含第一到第四存取线104a到104d。在其它实施例中，接触线102及存取线104可包含更大或更小数目个线。接触线102与存取线104可相对于彼此非正交。在所图解说明的实施例中，个别接触线102与存取线104成约63°的角度a。在其它实施例中，个别接触线102与存取线104可基于接触线102与存取线104的尺寸及/或相对布置而成其它适合的角度，如下文参考图3所更详细论述。在进一步实施例中，接触线102与存取线104也可大体正交、同时经配置以容纳具有两个存储器单元的存储器节点106，如下文参考图6到8F所更详细论述。存储器节点106个别地连接到接触线102及存取线104。如图IB中所展示，个别存储器节点106可包含彼此串联连接的第一整流器108a、第一存储器单元110a、第二存储器单元IlOb及第二整流器108b。第一整流器108a及第二整流器108b的输入端子形成电耦合到对应第二存取线104的输入点114。第一整流器108a及第二整流器108b的输出端子分别电连接到对应的第一存储器单元IlOa及第二存储器单元110b。在所图解说明的实施例中，第一整流器108a及第二整流器108b各自包含一二极管。在其它实施例中，第一整流器108a及第二整流器108b也可包含双极晶体管、结场效应晶体管(“JFET”)、金属氧化物场效应晶体管(“M0SFET”)及/或其它适合类型的整流装置。第一存储器单元IlOa及第二存储器单元IlOb (统称为“存储器单元110”)可包含任何适合的存储器单元配置。举例来说，在特定实施例中，存储器单元110可包含由硫属化物玻璃构造而成的相变随机存取存储器(“PCRAM”)组件，如下文参考图4A及4B所更详细描述。在一个实施例中，PCRAM结构可在两个状态之间切换。在其它实施例中，PCRAM结构可在四个、八个或另一数目个状态之间切换。在进一步实施例中，存储器单元110可包含浮动栅极晶体管及/或其它适合类型的存储器结构。存储器节点106可包含经由任选第三整流器112电连接到对应接触线102 (例如，分别电连接到第四接触线102d及第五接触线102e，如图IB中所展示)的第一输出点107a及第二输出点107b。在所图解说明的实施例中，第三整流器112包含二极管。在其它实施例中，第三整流器112也可包含双极晶体管，JFET、M0SFET及/或其它适合类型的整流装置。在进一步实施例中，可省略第三整流器112，且直接电链接(例如，金属迹线、金属导线及/或其它导电耦合器)可将输出点107a及107b直接连接到对应接触线。存储器阵列100的数个实施例的一个特征是存储器节点106中的存储器单元110个别地连接到不同对的接触线102及存取线104以形成不同电路。举例来说，如图IB中所 展示，第一存储器单元IlOa连接于第四存取线104d与第五接触线102e之间，从而形成第一电路。第二存储器单元IlOb连接到第四存取线104d及第四接触线102d，从而形成第二电路。所述第一与第二电路彼此电隔离。前述特征允许个别地寻址或存取个别存储器节点106中的存储器单元110中的每一者。举例来说，可通过给(I)第四存取线104d及第四接触线102d或(2)第四存取线104d及第五接触线102e通电来个别地存取存储器节点106的第一存储器单元IlOa及第二存储器单元110b。如图IB中所展示，为了存取第一存储器单元110a，可给第四存取线104d及第五接触线102e通电(例如，通过相对于其它存取线反转极性)。因此，电流可经由由输入点114、第一整流器108a、第一存储器单元110a、第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.11.12 US 12/617,5011.一种存储器结构，其包括 存取线，其沿第一方向延伸； 第一接触线及第二接触线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述第一与第二接触线彼此大体平行； 存储器节点，其包含 第一存储器单元，其电连接于所述存取线与所述第一接触线之间以形成第一电路；及第二存储器单元，其电连接于所述存取线与所述第二接触线之间以形成与所述第一电路电独立的第二电路。2.根据权利要求I所述的存储器结构，其中所述第一及第二接触线与所述存取线形成斜角。3.根据权利要求I所述的存储器结构，其中 所述第一与第二方向形成约63°的斜角；且 所述存储器节点进一步包含 第一整流器，其具有第一输入端子及第一输出端子； 第二整流器，其具有第二输入端子及第二输出端子； 所述第一整流器的所述第一输入端子及所述第二整流器的所述第二输入端子电连接到所述存取线； 所述第一及第二存储器单元包含硫属化物玻璃； 所述第一存储器单元电连接到所述第一整流器的所述第一输出端子及所述第一接触线；且 所述第二存储器单元电连接到所述第二整流器的所述第二输出端子及所述第二接触线。4.根据权利要求I所述的存储器结构，其中 所述第一与第二方向形成约63°的斜角；且 所述第一与第二电路彼此电隔离。5.根据权利要求I所述的存储器结构，其中 所述第一与第二方向形成斜角；且 所述存储器节点进一步包含 第一整流器，其具有第一输入端子及第一输出端子； 第二整流器，其具有第二输入端子及第二输出端子； 所述第一整流器的所述第一输入端子及所述第二整流器的所述第二输入端子电连接到所述存取线；且 所述第一整流器的所述第一输出端子及所述第二整流器的所述第二输出端子分别电连接到所述第一及第二存储器单元。6.根据权利要求I所述的存储器结构，其进一步包括 第一接触整流器，其在所述第一存储器单元与所述第一接触线之间；及 第二接触整流器，其在所述第二存储器单元与所述第二接触线之间。7.根据权利要求I所述的存储器结构，其中 所述第一与第二方向形成斜角；所述存储器节点进一步包含 第一整流器，其具有第一输入端子及第一输出端子； 第二整流器，其具有第二输入端子及第二输出端子； 所述第一整流器的所述第一输入端子及所述第二整流器的所述第二输入端子电连接到所述存取线；且 所述第一整流器的所述第一输出端子及所述第二整流器的所述第二输出端子分别电连接到所述第一及第二存储器单元；且 所述存储器结构进一步包括第一接触整流器，所述第一接触整流器在所述第一存储器单元与所述第一接触线之间；及 第二接触整流器，其在所述第二存储器单元与所述第二接触线之间。8.根据权利要求I所述的存储器结构，其中所述第一及第二接触线相对于所述存取线大体正交。9.根据权利要求I所述的存储器结构，其中 所述第一及第二接触线相对于所述存取线大体正交； 所述存储器节点进一步包含 第一整流器，具有第一输入端子及第一输出端子； 第二整流器，具有第二输入端子及第二输出端子；且 所述第一整流器的所述第一输入端子及所述第二整流器的所述第二输入端子电连接到所述存取线。10.一种存储器结构，其包括 多个存取线，其沿第一方向延伸； 多个接触线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，个别接触线与个别存取线形成多对存取线与接触线； 多个存储器节点，其电连接到所述存取线与接触线，个别存储器节点包含 第一存储器单元，其电连接于第一对存取线与接触线之间 '及第二存储器单元，其电连接于第二对存取线与接触线之间，所述第一及第二对存取线与接触线彼此电隔尚。11.根据权利要求10所述的存储器结构，其中所述接触线与所述存取线形成斜角。12.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述个别存储器节点进一步包含 第一整流器，其具有第一输入端子及第一输出端子； 第二整流器，其具有第二输入端子及第二输出端子； 所述第一整流器的所述第一输入端子及所述第二整流器的所述第二输入端子电连接到所述存取线；且 所述第一整流器的所述第一输出端子及所述第二整流器的所述第二输出端子分别电连接到所述第一及第二存储器单元。13.根据权利要求10所述的存储器结构，其进一步包括 第一接触整流器，其在所述第一存储器单元与所述个别接触线之间；及 第二接触整流器，其在所述第二存储器单元与所述个别接触线之间。14.根据权利要求10所述的存储器结构，其中所述接触线相对于所述存取线大体正交。15.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述接触线相对于所述存取线大体正交； 所述接触线包含第一接触线及第二接触线； 所述存取线包含第一存取线及第二存取线； 所述存储器节点包含第一存储器节点及第二存储器节点； 所述第一存储器节点包含 第一存储器单元，其电连接到所述第一接触线； 第一整流器，其具有电连接到所述第一存取线的第一输入端子及电连接到所述第一存储器单元的第一输出端子，所述第一接触线、所述第一存储器单元、所述第一整流器及所述第一存取线形成第一电路； 第二存储器单元，其电连接到所述第二接触线 '及 第二整流器，其具有电连接到所述第一存取线的第二输入端子及电连接到所述第二存储器单元的第二输出端子，所述第二接触线、所述第二存储器单元、所述第二整流器及所述第一存取线形成第二电路；且所述第二存储器节点包含 第一存储器单元，其电连接到所述第一接触线； 第一整流器，其具有电连接到所述第二存取线的第一输入端子及电连接到所述第一存储器单元的第一输出端子，所述第一接触线、所述第一存储器单元、所述第一整流器及所述第二存取线形成第三电路； 第二存储器单元，其电连接到所述第二接触线； 第二整流器，其具有电连接到所述第二存取线的第二输入端子及电连接到所述第二存储器单元的第二输出端子，所述第二接触线、所述第二存储器单元、所述第二整流器及所述第二存取线形成第四电路； 所述第一、第二、第三及第四电路彼此电隔离。16.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述接触线相对于所述存取线大体正交； 所述接触线形成第一对接触线及邻近于所述第一对接触线的第二对接触线；且 所述第一与第二对接触线彼此电隔离。17.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述接触线相对于所述存取线大体正交； 所述接触线形成第一对接触线及邻近于所述第一对接触线的第二对接触线； 所述存储器节点包含电连接到所述存取线中的一者及所述第一对接触线的第一存储器节点，以及电连接到所述存取线中的所述一者及所述第二对接触线的第二存储器节点；且 所述第一与第二存储器节点彼此电隔离。18.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述接触线相对于所述存取线大体正交；所述接触线包含第一及第二接触线； 所述存取线包含第一及第二存取线； 所述存储器节点包含电连接到所述第一存取线以及所述第一及第二接触线的第一存储器节点，以及电连接到所述第二存取线以及所述第一及第二接触线的第二存储器节点；且 所述第一与第二存储器节点彼此电隔离。19.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述接触线相对于所述存取线大体正交； 所述接触线包含第一及第二接触线； 所述存取线包含第一及第二存取线； 所述存储器节点包含第一存储器节点及第二存储器节点； 所述第一存储器节点包含 第一存储器单元，其电连接于所述第一存取线与所述第一接触线之间，从而形成第一电路；及 第二存储器单元，其电连接于所述第一存取线与所述第二接触线之间，从而形成第二电路； 所述第二存储器节点包含 第一存储器单元，其电连接于所述第二存取线与所述第一接触线之间，从而形成第三电路；及 第二存储器单元，其电连接于所述第二存取线与所述第二接触线之间，从而形成第四电路；且 所述第一、第二、第三与第四电路彼此电隔离。20.根据权利要求10所述的存储器结构，其中 所述接触线相对于所述存取线大体正交； 所述接触线包含第一及第二接触线； 所述存取线包含第一及第二存取线； 所述存储器节点包含第一存储器节点及第二存储器节点； 所述第一存储器节点包含 第一存储器单元及第一整流器，其电连接于所述第一存取线与所述第一接触线之间，从而形成第一电路；及 第二存储器单元及...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘峻，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：