半导体存储器以及数据读取方法技术

技术编号:9295711 阅读:99 留言:0更新日期:2013-10-31 00:20
本发明专利技术的目的在于提供针对不正当地读取储存的数据的攻击的耐受性较高的半导体存储器以及数据读取方法。在利用输出部对从存储部读取的数据进行外部输出时,进行如以下的输出控制,其中,存储部根据表示地址的地址信号来读取储存在各地址中的数据。即,在存储部的特定地址中储存有表示是否允许数据的外部输出的输出可否标志,输出部在电源接通后,直到该输出可否标志表示外部输出的允许并且在整个时钟信号的时钟周期的N(N是2以上的整数)倍的期间持续供给表示特定地址的地址信号的期间,禁止数据的外部输出。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体存储器,其特征在于,包含:存储部,其根据表示地址的地址信号来读取储存在所述地址中的数据;输出部,其对从所述存储部读取的所述数据进行外部输出,在所述存储部的特定地址中储存有表示是否允许所述数据的外部输出的输出可否标志,所述输出部在电源接通后,在直到所述输出可否标志表示为所述外部输出被允许并且在为时钟信号的时钟周期的N倍的期间中持续供给了表示所述特定地址的所述地址信号为止的期间,禁止所述数据的外部输出,其中,N为2以上的整数。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:宫崎聪司福山弘幸
申请(专利权)人:拉碧斯半导体株式会社
类型:发明
国别省市:

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