具有热防护件的化学气相沉积装置制造方法及图纸

本文公开了一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置具有热防护件以保护化学气相沉积装置的基座的下方的元件。该化学气相沉积装置具有反应室和由基座支承轴支承在该反应室中的基座。该化学气相沉积装置包括热防护件，该热防护件用于阻隔从基座的下方的一部分或从基座支承轴辐射的辐射热。

【技术实现步骤摘要】
具有热防护件的化学气相沉积装置
本专利技术主要涉及化学气相沉积装置。更具体地说，本专利技术涉及一种具有热防护件的化学气相沉积装置，该热防护件被包括在内以保护化学气相沉积装置的基座下方的元件。
技术介绍
在半导体制造过程中，将所需的材料沉积在基片上的薄膜沉积过程通常分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。这里，CVD是这样一种方法，其中，将工艺气体供给至反应室，并且工艺气体随后在有热或等离子体参与的情况下经受化学反应，由此使膜沉积在基片上。同时，金属有机化学气相沉积（MOCVD）是这样一种方法，其中，将有机金属化合物用作前体（precursor）并利用运载气体将有机金属化合物供给至反应室，以在受热的基片表面上形成有机金属化合物薄膜。同时，在于反应室中实施的处理期间，通过感应线圈或反应室的内部温度来加热基座。根据过程条件，以不同的方式控制该基座的温度。同时，可在基座的下方安装多种零件以驱动基座。当对基座进行加热时，由基座产生的热量中的一些被传递至基座下方的一部分。该热量损坏内部元件并且降低热效率。
技术实现思路
因此，考虑到现有技术中存在的上述问题已经做出了本专利技术，并且本专利技术的目的是提供一种具有热防护件的化学气相沉积装置，该热防护件意在防止热量从化学气相沉积装置的反应室中的基座向基座下方的一部分传递。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种化学气相沉积装置，该化学气相沉积装置具有反应室和由基座支承轴支承在反应室中的基座，该化学气相沉积装置包括热防护件，该热防护件用于阻隔从基座的下方的一部分或从基座支承轴辐射的辐射热。在本专利技术的一方面中，该热防护件可包括：圆筒形的第一防护板；以及第二防护板，该第二防护板联接至第一防护板，第二防护板设置在基座的下方并且在第二防护板的中央部分处是开放的。此外，该基座支承轴可以穿过第一防护板的方式设置在第一防护板的内部。该化学气相沉积装置还可包括辅助防护件，该辅助防护件以与第一防护板间隔开的方式设置在第一防护板的下方，该辅助防护件阻隔从基座的中央部分朝向反应室的底部辐射的热量。在本专利技术的另一方面中，热防护件可呈圆筒形状设置在基座支承轴的外侧。热防护件可包括：圆筒形的下部防护件；以及上部防护件，该上部防护件联接至下部防护件的顶部，下部防护件及上部防护件由不同的材料制成，下部防护件的传热系数低于上部防护件的传热系数。该化学气相沉积装置还可包括上部辐射热防护件，该上部辐射热防护件呈环形地设置在基座的下方。附图说明通过结合附图进行的下列详细描述，将更为清楚地理解本专利技术的上述及其它目的、特征和优点，在附图中：图1为示出了根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置的构型的视图；图2为示出了包括在根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置中的热防护件的截面图；图3为示出了包括在根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置中的辅助热防护件的截面图；图4为示出了根据本专利技术的另一优选实施方式的化学气相沉积装置的构型的视图；以及图5为示出了包括在根据本专利技术的另一优选实施方式的化学气相沉积装置中的热防护件的立体图。具体实施方式在下文中，将参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细地描述。应当指出的是，遍及不同的附图，相同或相似的部件具有相同的附图标记。另外，虽然将在下面对本专利技术的优选实施方式进行描述，但是所属领域技术人员将了解到，本专利技术的技术思想并不限制或局限于此并且可被改变成多种其它的形式。图1为示出了根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置的构型的视图，图2为示出了包括在根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置中的热防护件的截面图，以及图3为示出了包括在根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置中的辅助热防护件的截面图。化学气相沉积装置1包括：反应室3；设置于反应室3中的上部位置处的喷头5；及基座14，基片装载在该基座14上。在喷头5与基座14之间限定反应空间28。至少一个工艺气体供给部连接至喷头5以供给沉积过程所需的工艺气体。在图1中，第一工艺气体供给部7和第二工艺气体供给部9连接至喷头5。如果将根据本实施方式的化学气相沉积装置1应用于MOCVD过程，则可从第一工艺气体供给部7供给第III组气体，即三甲基镓（TMGa）气、三甲基铟（TMI）气、及三甲基铝（TMA）气中的任一种。另外，第二工艺气体供给部9可包括诸如NH3之类的第V组气体。可将分别通过第一工艺气体供给部7及第二工艺气体供给部9供给的工艺气体通过设置在喷头5中的单独的路径供给至反应空间28。在反应室3的外壁的内部设置有衬套10。衬套10在形式上可以是圆筒形的。吹扫气体供给部12设置在反应室3上，并且经由吹扫气体供给部12将吹扫气体供给至位于反应室3的外壁与衬套10之间的空间。可将诸如氮气（N2）或氩气（Ar）之类的惰性气体用作吹扫气体。基座14由基座支承轴16支承在反应室3中。基座支承轴16经由联轴器18联接至驱动轴20。驱动轴20的旋转引起基座14的旋转。在基座14的下方设置有感应线圈22。尽管在附图中未示出，但感应线圈22连接至用于将电力应用于感应线圈22的电源。另外，可将阻抗匹配电路添加至该电源以最大限度地传递能量。为感应线圈22供给来自电源的高频功率以加热基座14。在一实施方式中，感应线圈22可以是中空的。在这种情况下，可将流体供给到感应线圈22中以冷却感应线圈22。为了将基座支承轴16、联轴器18、及感应线圈22与反应空间28隔离开或者为了使得工艺气体的流入量最小化，在衬套10的内部设置有保护壳24。保护壳24可设置在基座14的下方呈圆筒形。如图1中所示，基座支承轴16、联轴器18、及感应线圈22位于保护壳24的内部。另外，可在保护壳24的顶部上设置顶板26。该顶板26可设置呈环形。工艺气体在反应空间28中进行反应以处理装载在基座14中的基片。可通过例如沉积或蚀刻对基片进行处理。随后，通过设置在反应室3的下部上的排气口30排出工艺气体。根据一实施方式，排气口30可设置在位于衬套10与保护壳24之间的下部区域上。排气口30经由排气管32连接至排气泵34。从喷头5供给的工艺气体在反应空间28中进行反应，并且通过位于衬套10与保护壳24之间的空间排出至排气口30。当通过感应线圈22来加热基座14时，热量从基座14传递至反应空间28并且传递至反应空间28下方的一部分。从基座14产生的热量通过基座支承轴16进行传递，并且另外以辐射热的形式传递至基座14下方的一部分。为了阻隔通过辐射热进行的热传递，根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置1在基座14的下方设置有热防护件40。在一实施方式中，热防护件40可构造成阻隔从基座14下方的一部分、基座14下方的中央部分、及基座支承轴16的外周辐射的热量。参照图2，根据本专利技术的优选实施方式的化学气相沉积装置1的热防护件40包括第一防护板42和第二防护板46，该第二防护板42设置在第一防护板42的顶部上。第一防护板42可以呈圆筒形，在该第一防护板42的中央部分中形成有插孔44。这种第一防护板42阻隔从基座14下方的中央部分及基座支承轴16的外周辐射的热量。第二防护板46可以呈在其中央部分处是开放的环形。第二防护板46阻隔从基座14下方的部分传递的辐射热。根据一实施方式，第二防护板46可紧固于设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置具有反应室和基座，所述基座由基座支承轴支承在所述反应室中，所述化学气相沉积装置包括：热防护件，所述热防护件用于阻隔从所述基座的下方的一部分或从所述基座支承轴辐射的辐射热。

【技术特征摘要】
2012.04.26 KR 10-2012-00440631.一种化学气相沉积装置，所述化学气相沉积装置具有反应室和基座，所述基座由基座支承轴支承在所述反应室中，所述化学气相沉积装置包括：热防护件，所述热防护件用于阻隔从所述基座的下方的一部分或从所述基座支承轴辐射的辐射热，其中，所述热防护件包括圆筒形的第一防护板以及联接至所述第一防护板的第二防护板，所述第二防护板设置在所述基座的下方并且在所述第二防护板的中央部分处是开放的；以及辅助防护件，所述辅助防护件以与所述第一防护板间隔开的方式设置在所述第一防护板的下方，所述辅助防护件阻隔从所述基座的中央部分朝向所述反应室的底部辐射的热量，其中，所述反应室包括保护壳以保护所述基座的下方的元件，并且在所述保护壳的顶部上设置有顶板，所述顶板的中央部分是开放的，并且所述第二防护板保持在所述保护壳上或联接至所述保护壳。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳锺贤，洪思仁，崔珉镐，
申请(专利权)人：塔工程有限公司，
类型：发明
国别省市：