用于清洁反应室的设备制造技术

本文公开的是一种用于清洁反应室的设备，该设备可有效地去除已附着于反应室的物质，并且该设备可防止反应室在清洁反应室的过程期间受到污染。该设备包括：清洁单元，该清洁单元具有刷，该刷插入到反应室中以清洁反应室的内部；以及遮挡单元，该遮挡单元阻挡在利用刷来清洁反应室的内部的过程期间掉落的物质。

【技术实现步骤摘要】
用于清洁反应室的设备
本专利技术主要涉及用于清洁反应室的设备，并且更特别地，涉及一种用于清洁反应室的这样的一种设备，该设备可有效地去除已附着于反应室的外来物质，并且该设备可防止反应室在清洁该反应室的过程期间受到污染。
技术介绍
通常，半导体制造设备执行一系列过程，这些过程包括：在半导体基片上形成膜的沉积过程；使膜平坦化的化学-机械研磨过程；在膜上形成光刻胶图案的光刻过程；利用光刻胶图案将膜成形到具有电气特性的图案中的蚀刻过程；将特定的离子注入到半导体基片的预定区域中的离子注入过程；以及将杂质从半导体基片中去除的清洁过程。在半导体制造过程中，执行膜沉积过程的方法被分为物理气相沉积（PVD）方法和化学气相沉积（CVD）方法，在该膜沉积过程中，将所需的材料沉积到基片上。CVD方法包括将工艺气体供给到反应室中并利用热或等离子体使工艺气体进行化学反应，由此使膜沉积到基片上。有机金属化学气相沉积（MOCVD）方法是一种将有机金属化合物用作前体（precursor）的方法，并且该方法包括：利用载气将有机金属化合物供给到反应室中，以及使有机金属化合物膜在热基片的表面上生长。当在反应室中对半导体基片进行处理时，一些物质会附着于反应室的内表面。例如，在薄膜由于工艺气体在反应室中的反应而形成在基片上的沉积过程中，这种薄膜除了沉积在基片上之外还会沉积在反应室的内表面上。已经沉积在反应室的内表面上的物质在反复的过程期间会以颗粒的形状掉落到基座或基片上，由此造成缺陷。为了避免该问题，必须定期地清洁反应室。作为清洁反应室的常规方法的一个示例，已经提议了一种方法，在该方法中，将清洁气体供给到反应室中以将附着物质从反应室的内表面上去除。然而，如果甚至在利用清洁气体等之后还未将附着物质从反应室上去除，则需要进行物理清洁过程。
技术实现思路
因此，考虑到现有技术中存在的上述问题已经作出了本专利技术，并且本专利技术的目的在于提供一种用于清洁反应室的设备，该设备物理地去除已附着于反应室的内表面的物质，并且防止在清洁过程期间产生的颗粒掉落到基座上。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种用于清洁反应室的设备，该设备包括：清洁单元，该清洁单元包括刷，该刷插入到反应室中以执行清洁反应室的内部的过程；以及遮挡单元，该遮挡单元用于阻挡在利用刷来清洁反应室的内部的过程期间掉落下的物质。该设备可进一步包括：清洁机器人，该清洁机器人包括连接至清洁单元的清洁机械臂组件，该清洁机器人调节清洁单元的位置；以及遮挡机器人，该遮挡机器人包括连接至遮挡单元的遮挡机械臂组件，该遮挡机器人调节遮挡单元的位置。清洁单元可包括使刷旋转的马达。该马达可以为电动马达或者，作为选择，可以为通过气动压力运行的空气马达。可在至少一个方向上调节刷的角度。遮挡单元可在反应室的基座的上方展开。在一实施方式中，遮挡单元可包括多个遮挡件，其中，遮挡件可彼此连接并且以彼此连接的状态展开。在另一实施方式中，遮挡单元可包括遮蔽件，该遮蔽件以滑动的方式展开。附图说明根据结合附图进行的下列详细描述，将更为清楚地理解本专利技术的上述和其它目的、特征和优点，在附图中：图1为根据本专利技术的优选实施方式的用于清洁反应室的设备的示意图；图2为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的清洁单元的第一示例的视图；图3为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的清洁单元的第二示例的视图；图4为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的折叠状态的视图；图5为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的展开状态的视图；图6为根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的截面图；图7为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡件的视图；图8为沿图7的线A-A’获得的截面图；以及图9和图10为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的遮挡单元的另一示例的构造的视图。具体实施方式下文中，将参照附图对本专利技术的优选实施方式进行详细的描述。现在应参照附图进行说明，在附图中，相同的附图标记遍及不同的附图用于表示相同或相似的部件。此外，下面将对本专利技术的优选实施方式进行描述，但本专利技术的技术精神既不受到优选实施方式的限制也不局限于该优选实施方式，并且所属领域技术人员将能够容易地理解到多种改型均是可能的。图1为根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的示意图。在图1中所示的实施方式中，反应室1包括：基座3，基片装载在该基座3上；以及喷淋头5，该喷淋头5将工艺气体供给到反应室1中。根据本专利技术的腔室清洁设备包括：清洁单元16，该清洁单元16去除已附着于反应室1的内表面的物质；以及遮挡单元26，该遮挡单元26防止在清洁单元16的清洁操作期间向下掉落在反应室1中的物质落在基座3上。在该实施方式中，清洁单元16连接至清洁机器人10，该清洁机器人10调节清洁单元16的位置并控制清洁单元16的操作。遮挡单元26连接至遮挡机器人20，该遮挡机器人20调节遮挡单元26的位置并控制遮挡单元26的操作。清洁机器人10包括清洁机器人基部12和连接至清洁机器人基部12的清洁机械臂组件14。清洁机械臂组件14包括多个机械臂并且在其远端处连接至清洁单元16。为了调节清洁单元16的位置，清洁机械臂组件14构造成使得在至少两维、更为优选地三维中进行操作。遮挡机器人20包括遮挡机器人基部22以及连接至遮挡机器人基部22的遮挡机械臂组件24。遮挡机械臂组件24包括多个机械臂并在其末端处连接至遮挡单元26。为了调节遮挡单元26的位置，遮挡机械臂组件24构造成使得在至少两维、更为优选地三维中进行操作。连接于清洁机械臂组件14的清洁单元16以及连接于遮挡机械臂组件24的遮挡单元26进入反应室1。图2为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的清洁单元16的第一示例的视图。图3为示出了根据本专利技术的优选实施方式的腔室清洁设备的清洁单元16的第二示例的视图。参照图2，清洁单元16包括：连接至清洁机械臂组件14的第一连接部分30；连接至该第一连接部分30的第二连接部分32；以及设置在第二连接部分32的端部上的刷34。第一连接部分30和第二连接部分32中的每个的形状都为中空的圆筒形或方形的壳体形状。第二连接部分32连接至第一连接部分30以便能够沿至少一个方向旋转。刷34构造成是可旋转的。刷34旋转并从反应室1的内表面或喷淋头5上去除附着物质。刷34由诸如聚丙烯、聚乙烯醇（PVA）或尼龙、或软金属材料之类的合成树脂制成。在一实施方式中，在第二连接部分32中设置有刷驱动马达36以驱动该刷34。第一连接部分30可旋转地铰接至第二连接部分32，并且在第一连接部分30与第二连接部分32之间的接合处上设置有从动轮38。从动轮38通过动力传送绳索40连接至驱动轮44。驱动轮44由第一驱动马达42进行操作。换句话说，第一驱动马达42使从动轮38旋转，使得第二连接部分32可相对于第一连接部分30旋转。在第一连接部分30的周向外表面上设置有第一连接部分从动齿轮46。第一连接部分从动齿轮46与连接至第二驱动马达50的第一连接部分驱动齿轮48啮合。由此，第一连接部分30可通过第二驱动马达50的运行绕其纵向轴线旋转。图2的构造设置成使刷34、第一连接部分30和第二连接部分32旋转，并且图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洁反应室的设备，包括：清洁单元，所述清洁单元包括刷，所述刷插入到所述反应室中以执行清洁所述反应室的内部的过程；以及遮挡单元，所述遮挡单元用于阻挡在利用所述刷来清洁所述反应室的内部的过程期间掉落下的物质。

【技术特征摘要】
2012.04.26 KR 10-2012-00440621.一种用于清洁反应室的设备，包括：清洁单元，所述清洁单元包括刷，所述刷插入到所述反应室中以执行清洁所述反应室的内部的过程；遮挡单元，所述遮挡单元用于阻挡在利用所述刷来清洁所述反应室的内部的过程期间掉落下的物质；清洁机器人，所述清洁机器人包括连接至所述清洁单元的清洁机械臂组件，所述清洁机器人调节所述清洁单元的位置；以及遮挡机器人，所述遮挡机器人包括连接至所述遮挡单元的遮挡机械臂组件，所述遮挡机器人调节所述遮挡单元的位置，其中，所述遮挡单元具有折叠状态和展开状态，在所述遮挡机械臂组件将所述遮挡单元插入到反应室中后，所述遮挡单元在所述反应室的基座的上方展开至所述展开状态，从而防止在所述清洁单元的清洁操作期间向下掉落在所述反应室中的物质落在所述基座。2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述清洁单元包括使所述刷旋转的马达。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳锺贤，洪思仁，崔珉镐，
申请(专利权)人：塔工程有限公司，
类型：发明
国别省市：