一种氮化硅坩埚及其制备方法技术

技术编号:9270643 阅读:124 留言:0更新日期:2013-10-24 20:13
本发明专利技术提供了一种氮化硅坩埚的制备方法,包括以下步骤:将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型,得到坩埚生胚;将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于坩埚生胚的内壁和外壁,干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚;将喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚进行气压烧结,得到坩埚熟坯;将坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除,得到氮化硅坩埚。该制备方法制得的氮化硅坩埚含有较少的碳、氧等杂质,使用其制备硅晶能够显著降低硅晶中碳、氧等杂质的含量,提升硅晶的品质,利于其应用。本发明专利技术还提供了一种氮化硅坩埚,其外壁喷涂有二氧化硅涂层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化硅坩埚的制备方法,包括以下步骤:a)将由氮化硅粉和助烧剂组成的混合粉体进行造粒、成型,得到坩埚生胚;b)将由二氧化硅粉和无水乙醇组成的浆料喷涂于所述步骤a)得到的坩埚生胚的内壁和外壁,干燥后得到内壁和外壁均喷涂有二氧化硅涂层的坩埚生胚;c)将所述步骤b)得到的坩埚生胚进行气压烧结,得到坩埚熟坯;d)将所述步骤c)得到的坩埚熟坯的内壁的二氧化硅涂层去除,得到氮化硅坩埚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑志东王先进尹慧
申请(专利权)人:浙江昱辉阳光能源有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1