一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法，将氮化硅粉和纯净水按比例混合球磨，制成陶瓷浆料；然后将陶瓷浆料倒入模具中，再将模具放入密闭容器中，控制容器的压力和温度，使模具中的陶瓷浆料在低温条件下边干燥边成型，制成多孔氮化硅陶瓷坯体；最后将多孔氮化硅陶瓷坯体放入氧化烧结炉中烧结，制备出具有不同弯曲强度和介电常数的多孔氮化硅—二氧化硅透波材料。该方法工艺简单，能够快速制备出导弹天线罩所需形状的多孔氮化硅—二氧化硅透波材料，可显著提高导弹天线罩的制造效率，并降低其制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于材料
，具体涉及一种采用低温干燥法制备多孔氮化硅一二氧化硅透波材料的方法。
技术介绍
在无机材料中，二氧化硅陶瓷的介电常数很低，满足导弹天线罩用透波材料的介电性能要求，但其力学性能不佳，尤其是较低的强度和较差的韧性，限制了其在高速导弹上的应用。氮化硅陶瓷具有很高的强度和韧性，满足高速导弹天线罩的力学性能要求，但其介电常数偏高，应对其进行改善。而“增加其孔隙率”和“引入适当的二氧化硅”是降低其介电常数的两种有效方法。文献“Oxidation bonding of porous silicon nitride ceramics with highstrength and low dielectric constant.Mater.Lett., 61 (2007), N0.2277 - 2280.，，公开了一种多孔氮化硅一二氧化硅透波材料的制备方法，该方法将Si3N4粉冷压成型后，在1200°C 1500°C氧化烧结，制备出多孔氮化硅二氧化硅陶瓷，该陶瓷的弯曲强度为46MPa 129MPa，介电常数为 3.Γ4.6。文献“Mechanical and dielectr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温干燥法制备多孔氮化硅—二氧化硅透波材料的方法，其特征在于包括下述步骤：（a）浆料制备将粒径为0.6~1.0微米的氮化硅粉倒入球磨罐中，其中，每100克氮化硅粉，倒入40~60毫升的纯净水，并加入15~25颗直径为8~12毫米的氧化铝球，然后在3℃~5℃温度下，球磨0.5~2小时制成浆料；（b）陶瓷坯体低温干燥成型在3℃~5℃温度下，将浆料倒入具有所需形状的模具中，然后将模具放入密闭的容器中，抽真空至0.2kPa~0.5kPa，保持该状态24~36小时；（c）陶瓷坯体烧结调节容器的恒压阀，让容器泄压，泄压速度控制在每分钟20kPa~50kPa，泄压完毕后将陶瓷坯体取出，放入氧化烧结炉中，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李向明，朱德兰，吴普特，
申请(专利权)人：西北农林科技大学，
类型：发明
国别省市：