一种低成本氮化硅陶瓷的生产方法技术

本发明专利技术公开了一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：独居石6～9％，氮化硅91％～94％，上述各组分的成分分别为：独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65％，氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94％，上述各组分的粒径分别为：独居石1～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。烧结温度为1600～1650℃，保温时间1～1.5h，压力12MPa。由于本发明专利技术以独居石作为烧结助剂，价格低廉，烧结温较低，节约了能耗，其综合效应是降低了生产成本。本发明专利技术生产的氮化硅陶瓷致密程度高，力学性能好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种热压烧结生产氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，所述氮化硅陶瓷原材料各组分及质量百分比含量为：独居石6～9％，氮化硅91％～94％，上述各组分的成分分别为：独居石中氧化铈和氧化镧质量百分比含量大于65％，氮化硅中α相氮化硅质量百分比含量大于94％，上述各组分的粒径分别为：独居石1～5μm，氮化硅0.4～0.7μm，将上述各组分混合制坯，将所得坯体在氮气氛围下热压烧结。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海，王亦臣，刘军，
申请(专利权)人：上海中耐高温材料有限公司，
类型：发明
国别省市：