【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及抛光组合物及方法。更具体地，本专利技术涉及用于抛光含有氮化硅的基材的方法以及为此的组合物。
技术介绍
用于集成电路的半导体晶片典型地包括其上已形成多个晶体管的基材例如硅或砷化镓。通过将基材中的区域和基材上的层图案化，晶体管化学地和物理地连接至基材。晶体管和层通过主要由某些形式的硅氧化物(SiO2)组成的层间电介质(ILD)分隔。晶体管通过使用公知的多级互连而互相连接。典型的多级互连由堆叠的薄膜组成，所述薄膜由以下材料中的一种或多种构成：钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、铝-铜(Al-Cu)、铝-硅(Al-Si)、铜(Cu)、钨(W)、掺杂的多晶硅(poly-Si)、以及它们的各种组合。此外，晶体管或晶体管组常常通过使用填充有绝缘材料例如二氧化硅、氮化硅和/或多晶硅的沟槽而彼此隔离。在半导体制造期间，必须移除各种前述材料的层，以便在晶片上形成电路的各种组件，这典型地通过化学机械抛光(CMP)实现。用于基材表面的CMP的组合物和方法是...
【技术保护点】
一种酸性含水抛光组合物，其适用于在化学机械抛光(CMP)过程中抛光含有氮化硅的基材，该组合物包含：(a)0.01至10重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂；(b)10至100,000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物；(c)0至100,000ppm的至少一种阳离子型聚合物；(d)0至200,000ppm的至少一种聚氧化烯聚合物；以及(e)为此的含水载体。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.07.11 US 13/546,5521.一种酸性含水抛光组合物，其适用于在化学机械抛光(CMP)过程中抛
光含有氮化硅的基材，该组合物包含：
(a)0.01至10重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂；
(b)10至100,000ppm的至少一种非聚合物型的不饱和氮杂环化合物；
(c)0至100,000ppm的至少一种阳离子型聚合物；
(d)0至200,000ppm的至少一种聚氧化烯聚合物；以及
(e)为此的含水载体。
2.权利要求1的组合物，其中该研磨剂以0.05至5重量％的浓度存在
于该组合物中。
3.权利要求1的组合物，其中该阳离子型聚合物以10至10,000ppm的
浓度存在于该组合物中。
4.权利要求1的组合物，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物以
10至10,000ppm的浓度存在于该组合物中。
5.权利要求1的组合物，其中该聚氧化烯聚合物以200至100,000ppm
的浓度存在于该组合物中。
6.权利要求5的组合物，其中该聚氧化烯聚合物包含聚(乙二醇)聚合物、
聚(乙二醇)-共-聚(丙二醇)嵌段共聚物、或其组合。
7.权利要求5的组合物，其中该聚氧化烯聚合物包含含有300至1500
的乙二醇单体单元平均数的聚(乙二醇)聚合物。
8.权利要求1的组合物，其中该阳离子型聚合物包含经季铵取代的聚合
物。
9.权利要求1的组合物，其中该阳离子型聚合物包含聚(乙烯基吡啶)聚
合物、经季铵取代的丙烯酸酯聚合物、经季铵取代的甲基丙烯酸酯聚合物、
或任意前述阳离子型聚合物的组合。
10.权利要求1的组合物，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物包
含吡啶化合物。
11.权利要求1的组合物，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物包
含吡啶化合物。
12.权利要求1的组合物，其中该非聚合物型的不饱和氮杂环化合物包
\t含4,4’-三亚甲基二吡啶。
13.权利要求1的组合物，其中该二氧化铈研磨剂包含经煅烧的二氧化
铈。
14.权利要求1的组合物，其中该含水载体包含去离子水。
15.权利要求1的组合物，其中该组合物的pH值为2至6。
16.一种酸性含水抛光组合物，其适用于在化学机械抛光(CMP)过程中
的氮化硅相对于多晶硅的选择性移除，该组合物包含：
(a)0.05至5重量％的至少一种粒状二氧化铈研磨剂；
(b)10至10,000ppm的4,4’-三亚甲基二吡啶；
(c)010,000ppm的至少一种选自以下的阳离子型聚合物：聚(乙烯基吡
啶)聚合物、经季铵取代的丙烯酸酯聚合物、经季铵取代的甲基丙烯酸酯聚
合物、或任意前述阳离子型聚合物的组合；
(d)0至20,000ppm的至少一种聚氧化烯聚合物，其选自聚(乙二醇)聚合
物、聚(乙二醇)-共-聚(丙二醇)嵌段共聚物、或其组合；以及
(e)为此的含水载体；
其中，该组合物的pH值为3至5。
17.一种用于抛光基材的表...
【专利技术属性】
技术研发人员：W沃德，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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