【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于钨化学机械抛光的组合物
技术介绍
用于抛光(或平坦化)基板表面的化学机械抛光(CMP)组合物及方法在本领域中是公知的。用于抛光位于半导体基板上的金属层(诸如钨)的抛光组合物(也称为抛光浆料、CMP浆料及CMP组合物)可包括悬浮于水性溶液中的研磨剂颗粒及化学促进剂，诸如氧化剂、螯合剂、催化剂等。在常规CMP操作中，将待抛光的基板(晶片)安装于载体(抛光头)上，该载体(抛光头)又安装于载体总成上且在CMP装置(抛光工具)中与抛光垫接触放置。载体总成向基板提供可控的压力，按压基板与抛光垫相抵。基板及垫通过外部驱动力相对于彼此移动。基板与垫的相对运动自基板表面研磨且移除一部分材料，由此抛光基板。通过垫与基板的相对移动的基板抛光可进一步通过抛光组合物的化学活性(例如，通过存在于CMP组合物中的氧化剂及其它化合物)和/或悬浮于抛光组合物中的研磨剂的机械活性辅助。在典型的钨插塞及互连工艺中，钨沉积于介电质上以及其中所形成的开口内。然后，在CMP操作期间，移除介电层上的过量的钨以在介电质内形成钨插塞及互连。由于半导体器件的特征尺寸持续缩减，因此，在C...
【技术保护点】
1.化学机械抛光组合物，包含：/n基于水的液体载剂；/n分散于该液体载剂中的研磨剂颗粒，/n含铁的促进剂；及/n具有氨基酸单体单元的阳离子型聚合物。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170915 US 62/559,2591.化学机械抛光组合物，包含：
基于水的液体载剂；
分散于该液体载剂中的研磨剂颗粒，
含铁的促进剂；及
具有氨基酸单体单元的阳离子型聚合物。
2.权利要求1的组合物，其中该研磨剂颗粒包含胶体氧化硅研磨剂。
3.权利要求2的组合物，其中该胶体氧化硅研磨剂具有至少10mV的永久性正电荷。
4.权利要求1的组合物，其中该含铁的促进剂包含能够溶解的含铁的催化剂。
5.权利要求4的组合物，进一步包含与该能够溶解的含铁的催化剂结合的稳定剂，该稳定剂选自：磷酸、邻苯二甲酸、柠檬酸、己二酸、乙二酸、丙二酸、天冬氨酸、丁二酸、戊二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸、顺丁烯二酸、戊烯二酸、粘康酸、乙二胺四乙酸、丙二胺四乙酸及其混合物。
6.权利要求1的组合物，进一步包含过氧化氢氧化剂。
7.权利要求1的组合物，具有在约1.0至约5.0的范围内的pH。
8.权利要求1的组合物，其中该阳离子型聚合物包含根据下式的化合物：
其中L1、L2、X1及X2中的至少一者包括带正电的基团且R1、R2及R3为H、OH或烷基。
9.权利要求8的组合物，其中该阳离子型聚合物具有大于约5的酸离解常数(pKa)。
10.权利要求8的组合物，其中该阳离子型聚合物具有6至11的酸离解常数(pKa)。
11.权利要求8的组合物，其中该阳离子型聚合物包含聚赖氨酸、聚精氨酸及聚组氨酸中的至少一者。
12.权利要求11的组合物，其中该阳离子型聚合物包含聚赖氨酸。
13.权利要求12的组合物，其中该阳离子型聚合物包含ε-聚-L-赖氨酸。
14.权利要求8的组合物，包含按重量计约1至约200ppm的该阳离子型聚合物。
15.权利要求8的组合物，包含按重量计约5至约50ppm的该阳离子型聚合物。
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【专利技术属性】
技术研发人员：KP多克里，T卡特，ME卡恩斯，J范库伊肯，P辛格，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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