改善4 inch GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法技术

一种改善4?inch?GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片中缓冲层的生长方法如下：（1）将4inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；（2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层的生长，厚度保持在0-10nm之间；（3）固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层的生长结束后进行GaN薄层的生长，厚度保持在0-5nm之间；(4)进行上述（2）、（3）步骤的交替生长，进行5~20个循环；（5）上述生长的缓冲层结束后，进行其它各层的生长。该结构能够有效减少量子阱区的缺陷密度，获得高片内均匀性和高波长集中度的外延片。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种改善4?inch?GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片从下向上的顺序依次为：衬底层、缓冲层、不掺杂的高温GaN层、Si掺杂的n型GaN层、多量子阱发光层、低温P型GaN层、?P型电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层，其特征在于，其中缓冲层的生长步骤如下：（1）将4?inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；??（2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1?xN缓冲层的生长，厚度保持在0?10?nm之间，其中0.05

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨奎，牛勇，吴礼清，李刚，蒋利民，郭丽彬，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：