【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】 【技术特征摘要】 【专利技术属性】
一种氮化物半导体元件，包括：基础层，包括AlN缓冲层，所述基础层具有主表面；功能层，包括氮化物半导体；以及堆叠体，提供在所述主表面与所述功能层之间，所述堆叠体包括第一堆叠中间层，所述第一堆叠中间层包括：第一GaN中间层，提供在所述基础层上；Alx1Ga1?x1N(0
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技术研发人员：彦坂年辉，原田佳幸，吉田学史，杉山直治，布上真也，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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