【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种提高MOCVD外延片均匀性的实用石墨盘，涉及MOCVD外延片生产
，本技术包括大石墨盘、小石墨盘，在大磨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合布置在大石墨盘的上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，边缘片槽沿中心片槽的外周均布；在小石墨盘的中心片槽的内底边沿设有石墨三角形支撑物。本技术通过对现有小石磨盘进行改良，在小石磨盘中心片槽底部周围放置石墨的三角形支撑物，改善了由于栓导热造成的小盘中心局部温度较高，从而降低小石墨盘中心和边缘温度差异，最终获得均匀性很好的外延片。【专利说明】—种提高MOCVD外延片均匀性的实用石墨盘
本技术涉及MOCVD外延片生产
，特别是MOCVD外延生产设备——石墨盘的设计。
技术介绍
MOCVD是指金属有机物化学气相沉积设备，目前广泛应用于II1-V化合物半导体薄膜材料的生长。载气把Mo有机源带入反应室，在衬底上反应，形成薄膜材料。衬底放置于石墨盘上，通过灯丝或者射频进行加热，加热温度为50(Tl200 °C。石墨盘由高纯石墨组成，并包裹SiC。加热单元在石墨盘下面。目前Aixtron公司的G5 MOCVD外延石墨盘的缺点在于:外延生长过程中，载气(H2或者N2)通过大石墨盘上的通气小孔吹起小石墨盘，让其进行自转，小石墨盘上有7个片槽，I个中心片槽和6个对称的边缘片槽。大石墨盘底部的加热单元通过载气，把热量传递到置于小石墨盘盘片槽的衬底上。由于栓是由导热性很好的钛金属构成，小石墨盘盘上中心片的中心温度会明显高于边缘温度，同时...
【技术保护点】
一种提高MOCVD外延片均匀性的实用石墨盘，包括大石墨盘、小石墨盘，在大磨盘上设有通气小孔和栓，在小石墨盘中心的背部设置与栓匹配的支撑凹槽，所述小石墨盘通过支撑凹槽和栓的配合布置在大石墨盘的上方；在小石墨盘上设置有中心片槽和边缘片槽，所述边缘片槽沿中心片槽的外周均布；其特征在于：在所述小石墨盘的中心片槽的内底边沿设有石墨三角形支撑物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李鸿渐，李盼盼，李志聪，孙一军，王国宏，
申请(专利权)人：扬州中科半导体照明有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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