衬底支撑结构及沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种衬底支撑结构，所述衬底支撑结构包括载板，所述载板上具有温度补偿板，所述温度补偿板内具有通孔，所述通孔用于收容衬底，所述温度补偿板背离所述载板的表面形成有保护层，所述保护层用以抑制或防止所述温度补偿板背离所述载板的表面发生III-V族化合物外延沉积。本发明专利技术还涉及一种沉积装置，所述沉积装置包括可密闭的反应腔、所述的衬底支撑结构、用于向所述衬底供给原料气体的气体供给机构、用于加热所述衬底的加热机构，本发明专利技术的所述衬底支撑结构或沉积装置能够减少或避免原料气体的浪费，从而节约原料气体，同时也减少对所述温度补偿板的清洁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于通过一边加热衬底一边在高温状态下供给原料气体来在衬底的表面上沉积薄膜的沉积工艺的装置，特别是涉及一种衬底支撑结构及沉积装置。
技术介绍
外延生长工艺在产业界的各种领域得到广泛地应用，为了保证衬底上的外延的性能均匀，现有技术通过补偿板使衬底加热均匀。图1为现有技术衬底支撑结构的俯视图。如图1所示，所述衬底支撑结构I包括载板U、温度补偿板12以及通孔13。图2是图1沿A-A’剖开线的剖面图，如图2所示，所述载板11上具有温度补偿板12，所述温度补偿板12内具有通孔13，所述通孔13用于收容衬底14，所述通孔13由所述温度补偿板12包围形成，其中，所述温度补偿板12的材料的热传导系数与所述衬底14的材料的热传导系数相同或相似，使得所述衬底14上表面的温度均匀。当对所述衬底14进行外延生长时，对所述载板11进行加热，所述载板11将热量传递给所述衬底14，由于所述衬底14周围被所述温度补偿板12包围，所述温度补偿板12的材料的热传导系数与所述衬底14的材料的热传导系数相同或相似，所以使得所述衬底14整个上表面的温度分布均匀，使得原料气体在所述衬底14整个上表面均匀反应，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种衬底支撑结构，用于在沉积III?V族化合物的工艺中支撑衬底，其特征在于：所述衬底支撑结构包括载板，所述载板上具有温度补偿板，所述温度补偿板内具有通孔，所述通孔用于收容衬底，所述温度补偿板背离所述载板的表面形成有保护层，所述保护层用以抑制或防止所述温度补偿板背离所述载板的表面发生III?V族化合物外延沉积。

【技术特征摘要】
1.一种衬底支撑结构，用于在沉积II1-V族化合物的工艺中支撑衬底，其特征在于:所述衬底支撑结构包括载板，所述载板上具有温度补偿板，所述温度补偿板内具有通孔，所述通孔用于收容衬底，所述温度补偿板背离所述载板的表面形成有保护层，所述保护层用以抑制或防止所述温度补偿板背离所述载板的表面发生II1-V族化合物外延沉积。2.如权利要求1所述的衬底支撑结构，其特征在于:所述保护层的材料为二氧化硅或非晶或多晶材料。3.如权利要求2所述的衬底支撑结构，其特征在于:所述非晶或多晶材料为非晶或多晶碳化硅。4.如权利要求2所述的衬底支撑结构，特征在于:所述衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底或硅衬底。5.如权利要求1所述的衬底支撑结构，其特征在于:所述温度补偿板的材料的热传导系数为所述衬底的材料的热传导系数的0.5倍以上且2倍以下。6.如权利要求5所述的衬底支撑结构，其特征在于:所述温度补偿板的材料与所述衬底的材料相同。7.如权利要求1所述的衬底支撑结构，其特征在于:所述温度补偿板由多个子块构成，每一所述子块上的所述保护层为一整块。8.如权利要求7所述的衬底支撑结构，其特征在于:所述温度补偿板为圆形，所述子块以所述温度补...

【专利技术属性】
技术研发人员：林翔，
申请(专利权)人：光达光电设备科技嘉兴有限公司，
类型：发明
国别省市：