扩张均匀性高的扩晶机制造技术

本发明专利技术提供一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，沿互相垂直的两条芯片切割道方向扩张十字形蓝膜，使得粘贴在十字形蓝膜上已经切好的晶元均匀扩张、芯片互相分离，相邻芯片之间的距离相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较少的机器分辨和定位时间，达到芯片级封装或晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。

【技术实现步骤摘要】
扩张均匀性高的扩晶机
本专利技术涉及一种半导体行业和LED行业使用的扩晶机，使得晶元均匀扩张，相邻芯片之间的距离相等，减少后续的测量和分选工艺占用的机器分辨和定位时间，达到晶元级封装的要求，便于后续的工艺流程。
技术介绍
晶元(wafer)上正方形和矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的两个方向:X方向和Y方向，X方向与晶元的平边(flat)平行。现有的扩晶机(waferexpander)都是沿晶元的半径方向扩张，因此，同一切割道方向上的相邻芯片(chip)之间的距离不相等，使得后续的测量和分选的工艺占用较多的机器分辨和定位时间。另外，芯片级封装(chip scale package)或晶元级封装(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之间的距离基本上相同。因此，需要一种扩晶机，使得扩张后的晶元上的同一切割道方向的芯片之间的距离基本上相同。
技术实现思路
本专利技术的首要目的是提供一种扩晶机，使得扩张后的晶元上同一切割道方向上相邻的芯片之间的距离基本相同，芯片之间的沿X方向的距离与沿Y方向的距离相同，使得后续的测量和分选的工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扩晶机，包括：框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构；所述顶膜结构沿竖直方向往返运动，扩张放置在其上的十字形蓝膜；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述顶膜结构，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。

【技术特征摘要】
1.一种扩晶机，包括:框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构；所述顶膜结构沿竖直方向往返运动，扩张放置在其上的十字形蓝膜；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字形蓝膜；所述压环结构设置在所述顶膜结构的上方，所述压环结构下降，使得扩张后的十字形蓝膜保持扩张状态；其特征在于，所述顶膜结构，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。2.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面，十字形蓝膜放置在所述蓝膜接触面上，所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。3.根据权利要求2的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端是蓝膜接触面，所述蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。4.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端形成凸台和扩晶环支持面，放在所述扩晶环支持面上的内扩晶环的顶端的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。5.根据权利要求4的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端形成凸台和扩晶环支持面。6.根据权利要求1的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构的顶端的表面是蓝膜接触面；所述顶膜结构的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽的宽度等于或大于内扩晶环的厚度和外扩晶环的厚度之和，所述扩晶环槽的深度等于或大于内扩晶环或外扩晶环的宽度；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面；所述外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形，使得十字形蓝膜沿晶元上的芯片切割道方向扩张。7.根据权利要求6的扩晶机，其特征在于，所述顶膜结构包括第一主体和第二主体；所述第一主体设置在所述第二主体上方；所述第一主体的顶端形成扩晶环槽；所述扩晶环槽把所述蓝膜接触面分成2部分:内蓝膜接触面和外蓝膜接触面；所述外蓝膜接触面的外周的俯视形状为正方形或矩形。8.一种扩晶机，其特征在于，所述扩晶机包括:框架结构、顶膜结构、压膜结构、压环结构、附件；所述附件设置在所述顶膜结构的顶端的外周，所述附件的顶端的表面与所述顶膜结构的顶端的表面在同一平面，所述顶膜结构及附件沿竖直方向往返运动；所述压膜结构设置在所述框架结构上方，压紧和放松十字...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭晖，
申请(专利权)人：佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心，彭晖，
类型：发明
国别省市：广东;44