本发明专利技术涉及一种用于在从第二基片(11)处分离第一基片(13)时保持第一基片(13)的柔性的基片支架(1)，其中设置用于在第一基片(13)弯曲的情况下松开第二基片(11)的分离件(1,28)。此外，本发明专利技术涉及一种用于在分离方向(L)上从第二基片(11)处分离第一基片(13)的装置，其具有以下部件：-用于保持第一基片(13)的在分离方向(L)上柔性的基片支架(1)，-用于保持第二基片(11)的基片支架(18)，以及-用于在第一基片(13)弯曲的情况下从第二基片(11)处松开第一基片的(13)分离件(1,15,15',16,28)。此外，本发明专利技术涉及一种用于在分离方向(L)上从第二基片处分离第一基片的方法，其具有以下步骤、尤其地以下流程：-利用基片支架保持第二基片并且利用在分离方向(L)上柔性的基片支架保持第一基片，以及-在第二基片弯曲的情况下从第二基片处松开第一基片。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种根据权利要求1所述的柔性的基片支架，一种根据权利要求2所述的用于在分离方向L上从第二基片(Substrat)处分离第一基片的装置，一种根据权利要求9所述的对应的方法以及根据权利要求12和13所述的用途。
技术介绍
在半导体工业中，结构晶片或产品晶片常常暂时地被联结在载体晶片或第一基片上，以能够对其进行操作。在处理产品晶片之后，应尽可能简单、快速且成本适宜地并且干净地将该产品晶片从第一基片处取下。最常使用的用于将产品晶片联结在载体晶片上的方法是将粘合层施加在两个基片中的一个上(或两个基片上)并且在压力下接触。在松开(去联结)时，在减小粘合剂的附着力(温度、UV辐射等)之后使载体晶片从产品晶片处松开，例如通过使晶片彼此平行移动。在此，晶片通过所谓的吸盘(Chuck)通过负压保持。晶片也非常常见地通过熔融联结(Fusionbonding，有时称为熔融键合)(主要范德瓦尔斯力)和紧接着的退火(加热到再结晶温度之上)持续连接。在去联结时，需考虑多种重要因素，并且最主要要考虑的事在于，易碎的且由于预处理的原因非常昂贵的产品晶片应遭受尽可能小的压力并且不应使其损坏。另一方面，第一基片的松开应成本适宜地且快速地以尽可能小的能量消耗实现。在多种已知的松开过程中要求，尤其地为了消除在晶片之间的附着层的附着性能，将由载体晶片和结构晶片/产品晶片组成的“堆垛”(堆叠件)加热到针对粘合剂特定的温度上。
技术实现思路
因此本专利技术的目标是，如此改进这种类型的用于松开第一基片的装置和方法，SP实现小心谨慎的且同时明显更快的松开。同时应减小能量消耗。该目标通过权利要求1、2、9、12和13的特征实现。在从属权利要求中给出本专利技术的有利的改进方案。由在说明书、权利要求和/或附图中给出的至少两个特征形成的所有组合都落在本专利技术的范围中。在数值范围方面，位于所提及的极限之内的值也作为极限值公开并且以任意组合被要求保护。本专利技术的基本想法是，如此设计用于在第一基片从第二基片处分离时保持第一基片的基片支架，即该基片支架构造成允许第一基片弯曲。根据本专利技术，该基片支架具有足够的抗弯强度，以引起用于使第一基片从第二基片处松开(尤其地通过抬起进行松开，尤其地仅仅从第一基片的边缘抬起)的分离力。在此，根据本专利技术，应仅仅实现稍微的弯曲、尤其地<45°的弯曲角度、优选地<40°、更为优选地<30°、尤其优选地<20°、更加优选地<10°、最为优选地<5°。弯曲尤其地通过可控的力加载和/或控制松开速度、尤其地在基片支架的周缘处的松开速度进行控制。以这种方式，保护也具有一定的尤其地与基片支架相似的抗弯强度的第一基片并且主要保护第二基片不受损坏。通过弯曲，分离力的大部分作用在移动的分离前部处，其尤其地从第一基片的边缘开始向中心的方向移动。此外，根据本专利技术的实施形式也适合用于使具有(相对)高的联结力的基片相互分开。由此，本专利技术尤其地也可用于分离两个通过熔融联结相连接的基片，因为不仅第一基片而且第二基片通过根据本专利技术的尤其地可控的弯曲在分离时小心谨慎地被处理。因此，本专利技术的核心是用于在从第二基片处分离第一基片时保持第一基片的柔性的基片支架，其中设置用于当在基片支架处第一基片弯曲时松开第二基片的分离件。因此，根据本专利技术也可设想基片支架的全面的环形的实施方案，其尤其地由具有一定弹性或抗弯强度的聚合体制成。其具有真空通道以用于固定和容纳第一基片。在此为了提高保持力尤其地附加地也设置将第一基片静电固定在基片支架处。基片支架也可至少部分地由金属、陶瓷或复合材料制成。所使用的材料仅仅必须允许根据本专利技术的功能性。作为独立的专利技术，此外提出一种用于在分离方向L上从第二基片处分离第一基片的装置，其具有以下部件: -用于保持第一基片的在分离方向L上柔性的第一基片支架， -用于保持第二基片的第二基片支架，以及 -用于在第一基片弯曲的情况下从第二基片处松开第一基片的分离件，其中该松开尤其在考虑引起弯曲的力的情况下是受控的。在此有利的是，第二基片支架用于容纳更敏感的、尤其地更薄的基片(优选地产口曰 、叩曰曰/T ； O根据本专利技术，分离方向L基本上尤其地刚好垂直于第一基片和/或第二基片的表面。基片支架和/或由基片支架容纳的第一基片的弯曲的弯曲轴线垂直于分离方向L。尤其地，该弯曲轴线平行于第二基片和/或第一基片的表面。根据本专利技术可设想，沿着基片的周缘设置多个尤其地径向对称的分离方向，从而存在多个弯曲轴线。当两个基片通过工具作用尤其地保持环沿着周缘相互分开时，可能出现这种情况。在有利的实施方案中，根据本专利技术的装置可包括压力腔，其可加载有过压，以将利用负压固定在基片支架处的第一基片更好地固定在基片支架处。在腔中的压力在此可>lbar、优选地> 2bar、更为优选地> 5bar、更加优选地> lObar、尤其地小于lOObar。根据本专利技术的有利的实施形式设置成，用于容纳第一基片的基片支架可在分离方向L上弹性变形。通过基片支架的弹性，根据本专利技术实现，虽然尤其地可控的拉力仅仅施加在第一基片的周缘处，但是分别在移动的分离前部处集中分离力。在本专利技术的另一有利的实施形式中设置成，通过分离件可施加至少一个作用在用于容纳第二基片的基片支架的周缘处的拉力和至少一个与该拉力相反地作用在基片支架的周缘处的反力以用于沿着分离前部产生分离力矩。由此，可减小尤其地在松开开始时的总负载。以这种方式，还可引起对第一基片和第二基片的更强的保护。在此尤其地设置成，拉力尤其地通过在基片支架的周缘处均匀地施加拉力而相加成在基片支架的中心合成的拉力，而一个或多个反力相加成在基片支架的边缘处的合成的反力以及在移动的分离前部处相应的分离力矩。相应地，基片支架相对于基片支架倾斜。为了更强地保护第二基片、尤其地在第二基片非常敏感且非常昂贵的情况下，根据本专利技术设置成，第二基片支架构造成刚性的、尤其地全面容纳第二基片的容纳件。根据本专利技术的另一有利的实施形式设置成，第一和/或第二基片支架构造成尤其地敞开的具有可调的内直径Di的环。通过环形，抗弯强度也可通过环形几何结构(尤其地环形宽度B相对于环形直径Da和/或相对于环的高度H)最优地调整而适合于第一基片。此外，环形引起，在环孔的区域中允许第一基片的更强的运动自由度，从而实现了基片支架的抗弯强度与第一基片的抗弯强度的共同作用。在此，基片支架的抗弯强度尤其地至少等于或大于第一基片的抗弯强度。有利地，第二基片支架构造成与第一基片支架不同，尤其地不是构造成敞开的环，而是优选地构造成全面的基片容纳件、尤其地构造成吸盘。有利地，根据本专利技术如此选择第一基片支架的抗弯强度，即其位于第一基片的抗弯强度的1/20至20倍的范围中、尤其地1/10至10倍、优选地1/5至5倍、更为优选地1/2至2倍的范围中。作为第一基片，尤其地可考虑由硅制成的晶片，其具有在500 μ m至750 μ m之间、优选地600 μ m的厚度d。其可具有200mm或300mm的直径Dt。在此尤其有利的是，设置尤其地在整个环形周缘上伸延的尤其地以弹回的周缘肩部的形式的保持件。由此，利用简单的可成本适宜地制造的几何形状，可将分离力尤其地在第一基片的整个周缘处施加到本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于在从第二基片(11)处分离第一基片(13)时保持所示第一基片(13)的柔性的基片支架(1)，其中，设置有分离件(1,28)以用于在所述第一基片(13)弯曲的情况下松开所述第二基片(11)。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在从第二基片(11)处分离第一基片(13)时保持所示第一基片(13)的柔性的基片支架(I)，其中，设置有分离件(1，28)以用于在所述第一基片(13)弯曲的情况下松开所述第二基片(11)。2.一种用于在分离方向(L)上从第二基片(11)处分离第一基片(13)的装置，该装置具有以下部件: -用于保持所述第一基片(13)的在分离方向(L)上柔性的基片支架(1)， -用于保持所述第二基片(11)的基片支架(18)，以及 -用于在所述第一基片(13)弯曲的情况下从所述第二基片(11)处松开所述第一基片的(13)的分离件(I, 15，15’，16，28)。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述基片支架(I)在分离方向(L)上可弹性变形。4.根据权利要求2或3所述的装置，其特征在于，通过所述分离件(1，15，15’，16，28)可施加至少一个尤其地作用在所述基片支架(18)的周缘处的拉力(F1, F2, Fn)和至少一个与所述拉力(F1, F2, Fn)相反地尤其地作用在所述基片支架的周缘处的反力(G)以用于沿着分尚如部广生分尚力矩(L1, L2, Ln)。5.根据权利要求2至4中任一项所述的装置，其特征在于，所述第二基片支架(18)构造成刚性的、尤其地全面容纳所述第二基片(11)的基片支架(18)。6.根据权利要求1所述的基片支架，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：M温普林格，D布格施塔勒，J布格拉夫，G米滕多费尔，
申请(专利权)人：EV集团E·索尔纳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：奥地利;AT
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