温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种改善4?inch?GaN基外延片内均匀性和波长集中度的方法，所述GaN基外延片中缓冲层的生长方法如下：（1）将4inch衬底在氢气气氛下，高温清洁衬底表面后，进行氮化处理；（2）氮化处理结束后，进行固定AL组分的ALxGa1-xN缓冲层...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。