一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

技术编号:9224205 阅读:119 留言:0更新日期:2013-10-04 17:59
本发明专利技术提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,其包括:扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元,每个像素单元包括:薄膜晶体管、有源层、以及像素电极,其中,有源层由金属氧化物制成的,像素电极、源极和漏极均是由金属氧化物通过离子注入方式使得金属氧化物具有导电特性。本发明专利技术通过将金属氧化物适合作为ITO与a-Si替代品的特性,提出四道光罩制程的阵列基板,可以减化制程降低制造成本,将半导体层与透明电极层整合在一起,利用半色调掩膜版或者灰色调掩膜版将沟道保护层和金属氧化物层用一道掩膜版制作,利用离子注入方式让其他的金属氧化物成为具有导体特性的透明电极,如此可以四道光罩制程即完成阵列基板。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板,该金属氧化物薄膜晶体管阵列位于玻璃基板上,其特征在于,其包括:位于玻璃基板上的纵横交错的扫描线和数据线、由扫描线和数据线交叉限定的若干像素单元,每个像素单元包括:薄膜晶体管、有源层、以及像素电极,所述薄膜晶体管包括与扫描线一起形成的栅极、与数据线连接的源极、以及与像素电极连接的漏极,其中,有源层由金属氧化物制成的,像素电极、源极和漏极均是由金属氧化物通过离子注入方式使得金属氧化物具有导电特性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王海宏焦峰
申请(专利权)人:南京中电熊猫液晶显示科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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