【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管,系形成于一基板上,该薄膜晶体管包括:一栅极,位于该基板上;一栅极绝缘层,位于该栅极与该基板上;一第一保护图案与一第二保护图案,位于该栅极上方的该栅极绝缘层上,该第一保护图案与该第二保护图案的材料包括铟锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锌氧化物、氧化铟或氧化锌;一源极,位于该栅极绝缘层与该第一保护图案上;一漏极,位于该栅极绝缘层与该第二保护图案上;一半导体通道层,部分位于该源极与该漏极间的该栅极绝缘层上,且部分位于该源极与该漏极上;以及一钝化层,位于该半导体通道层、该源极与该漏极上;其中于该源极往该漏极的一延伸方向上,该第一保护图案的长度小于该源极的长度,且该第二保护 ...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:陈崇道,林武雄,陈勃学,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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