【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于微切削的LED表面强化出光结构的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1：取一已剥离转移衬底的倒装LED芯片，所述倒装LED芯片，从下至上分别为衬底、p型半导体层、有源层和n型半导体层；步骤2：利用多齿刀具在n型半导体层表面微切削形成微沟槽强化出光结构；步骤3：将LED芯片旋转一定角度，利用多齿刀具在n型半导体层表面再次切削，形成锥状强化出光微结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汤勇，万珍平，陆龙生，袁伟，袁冬，夏宏荣，李宗涛，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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