【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光二极管，尤其涉及一种具有三维纳米结构阵列的发光二极管。
技术介绍
由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。传统的发光二极管通常包括N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。发光二极管处于工作状态时，在P型半导体层与N型半导体层上分别施加正、负电压，这样，存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光子，且光子从发光二极管中射出。然而，现有的发光二极管的发光效率不够高，部分原因是由于活性层与N型半导体层或P型半导体层之间的接触面积较小，从而导致空穴与电子的复合密度较小，使得产生的光子数量较少。另外由于来自活性层的大角度光在半导体与空气的界面处发生全反射，从而大部分大角度光被限制在发光二极管的内部，直至以热等方式耗散。这对发光二极管而言...
【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：一第一半导体层设置于一基底的一表面，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面，所述第一表面与所述基底相邻，所述基底的远离第一半导体层的表面为所述发光二极管的出光面；一活性层以及一第二半导体层依次层叠于所述第一半导体层的第二表面，且所述活性层与所述第一半导体层相邻；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的整个表面；其特征在于，所述第一半导体层的第二表面及所述基底远离第一半导体层的表面均为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，其中每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其包括: 一第一半导体层设置于一基底的一表面，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面，所述第一表面与所述基底相邻，所述基底的远离第一半导体层的表面为所述发光二极管的出光面； 一活性层以及一第二半导体层依次层叠于所述第一半导体层的第二表面，且所述活性层与所述第一半导体层相邻； 一第一电极与所述第一半导体层电连接； 一第二电极覆盖所述第二半导体层远离活性层的整个表面； 其特征在于，所述第一半导体层的第二表面及所述基底远离第一半导体层的表面均为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，其中每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面为与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合形成的图案化表面。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构为条形凸起结构，所述三维纳米结构以直线、折线或曲线并排延伸。3.如权利要求2所 述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层表面的三维纳米结构的延伸方向垂直于所述基底表面三维纳米结构的延伸方向。4.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构在其延伸方向的横截面的形状为M形。5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凸棱及第二凸棱的横截面分别为锥形，所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凹槽的深度为30纳米 120纳米，所述第二凹槽的深度为100纳米 200纳米。7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在按同一周期或多个周期排布，所述周期范围为100纳米飞00纳米。9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，相邻三维纳米结构之间的间距为O纳米 200纳米。10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构的宽度为100纳米 300纳米。11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，进一步包括一反射层设置于所述第二半导体层远离活性层的表面。12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层与第一半导体层接触的表面具有多个三维纳米结构，所述多个三维纳米结构为向活性层内部延伸形成的凹进空间。13....
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，张立辉，陈墨，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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