【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种发光二极管，尤其涉及ー种具有三维纳米结构阵列的发光二极管。
技术介绍
由氮化镓半导体材料制成的高效蓝光、绿光和白光发光二极管具有寿命长、节能、绿色环保等显著特点，已被广泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明、交通信号、多媒体显示和光通讯等领域，特别是在照明领域具有广阔的发展潜力。传统的发光二极管通常包括N型半导体层、P型半导体层、设置在N型半导体层与P型半导体层之间的活性层、设置在P型半导体层上的P型电极(通常为透明电极)以及设置在N型半导体层上的N型电极。发光二极管处于工作状态时，在P型半导体层与N型半导体层上分別施加正、负电压，这样，存在于P型半导体层中的空穴与存在于N型半导体层中的电子在活性层中发生复合而产生光子，且光子从发光二极管中射出。然而，现有的发光二极管的发光效率不够高，部分原因是由于活性层与N型半导体层或P型半导体层之间的接触面积不够大，从而导致空穴与电子的复合密度较小，使得产生的光子数量较少，进而限制了发光二极管的发光效率。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供ー发光效率较高的发光二极管。ー种发光二极管，其包括:一第一半导体层，所述第一...
【技术保护点】
一种发光二极管，其包括：一第一半导体层，所述第一半导体层具有相对的一第一表面和一第二表面；一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述活性层设置于所述第一半导体层及第二半导体层之间，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面；一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，其中每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二...
【技术特征摘要】
1.ー种发光二极管，其包括: 一第一半导体层，所述第一半导体层具有相対的一第一表面和一第二表面； 一活性层及ー第二半导体层依次层叠设置于所述第一半导体层的第二表面，所述活性层设置于所述第一半导体层及第ニ半导体层之间，所述第二半导体层远离活性层的表面具有一出光面； 一第一电极覆盖所述第一半导体层的第一表面； 一第二电极与所述第二半导体层电连接； 其特征在于，所述第一半导体层的第二表面为多个三维纳米结构以阵列形式排布形成的图案化的表面，其中每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度，所述活性层与所述第一半导体层接触的表面与所述第一半导体层所述图案化的表面相啮合。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构为条形凸起结构，所述三维纳米结构在第一半导体层表面以直线、折线或曲线并排延伸。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述三维纳米结构在其延伸方向的横截面的形状为M形。4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凸棱及第ニ凸棱的横截面分别为锥形，所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层覆盖所述多个三维纳米结构，所述活性层与第一半导体层接触的表面形成一纳米图形。6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述活性层表面形成多个凹槽及多个凸棱，所述凹槽分别与所述三维纳米结构中的第一凸棱及第ニ凸棱相配合，所述凸棱分别与第一凹槽及第ニ凹槽相配合。7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一凹槽的深度为30纳米 120纳米，所述第二凹槽的深度为100纳米 200纳米。8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在第第一半导体层表面按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。9.如权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述多个三维纳米结构在第一半导体层表面按同一周期或多个周期排布...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，张立辉，陈墨，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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