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一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法技术

技术编号:9199248 阅读:198 留言:0更新日期:2013-09-26 03:13
本发明专利技术提供了一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法,可在具有简单微结构的弹性模板电极上原位屈曲产生复杂多级微纳结构,同时利用约束刻蚀技术将其屈曲得到的复杂多级微纳结构批量复制到基底材料上。所述方法包括:弹性模板电极简单微结构的设计与制备,以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构;模板电极上应力屈曲的产生及其控制,以使模板电极可控地产生屈曲形变;屈曲结构的复制,利用约束刻蚀技术使模板电极上屈曲得到的多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种复杂三维多级微纳结构的约束刻蚀加工方法,所述方法包括:?具有简单微结构的弹性模板电极的设计与制备,以使具有简单微结构的模板电极在屈曲时产生所需的复杂三维多级微纳结构;?屈曲的产生及其调控,以使模板电极可控的屈曲产生所需的复杂三维多级微纳结构;以及?屈曲结构的复制,以使模板电极上屈曲得到的复杂多级微纳结构直接复制到刻蚀基底上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:詹东平张杰田中群贾晶春韩联欢袁野田昭武
申请(专利权)人:厦门大学
类型:发明
国别省市:

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