锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法技术

本发明专利技术涉及靶材生产制备领域，具体而言，涉及一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法。包括：将质量分数为13%～16%的锗，22%～25%的锑，60%～64%的碲混合，组成原料；对原料进行真空熔炼处理，得到GeSbTe金属化合物；将GeSbTe金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的GeSbTe粉末；将干燥的GeSbTe粉末进行真空热压烧结处理，得到锗锑碲相变材料溅射靶材。本发明专利技术中的锗锑碲相变材料溅射靶材生产方法，将利用真空熔炼方法，完成锗锑碲所形成稳定化合物制成粉末，使之成分均匀；后将该粉末放入热压机进行高压烧结，形成致密的靶材。用该工艺，解决了粉末成分可能出现不均，或密度不高的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种锗锑碲化合物相变材料溅射靶材生产方法，其特征在于，包括如下步骤：（A）将质量分数为13%～16%的锗，22%～25%的锑，60%～64%的碲混合，组成原料；对原料进行真空熔炼处理，得到GeSbTe金属化合物；（B）将GeSbTe金属化合物进行粉末冶金处理，得到干燥的GeSbTe粉末；（C）将干燥的GeSbTe粉末进行真空热压烧结处理，得到锗锑碲相变材料溅射靶材。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗雨，丘立安，汪晏清，
申请(专利权)人：成都先锋材料有限公司，
类型：发明
国别省市：