薄膜、太阳能电池及其制备方法和装置制造方法及图纸

一种薄膜、太阳能电池及其制备方法和装置，属于太阳能电池领域。薄膜具有至少一个重复单元，且每个重复单元具有超晶格结构且包括叠置的下述层：铜铟镓硒层；在铜铟镓硒层之上的N型半导体层，所述N型半导体层的材质包括硫化镉、硒化铟或硫化铟；在硫化镉层之上的透明导电氧化物层。当超晶格薄膜具有两个以上的重复单元时，相邻两个重复单元之间以铜铟镓硒层与透明导电氧化物层相对贴合的欧姆接触的方式叠置。该薄膜可以用于形成高光电转换效率的太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】
薄膜、太阳能电池及其制备方法和装置
本申请涉及太阳能电池领域，具体而言，涉及一种薄膜、太阳能电池及其制备方法和装置。
技术介绍
铜铟镓硒(Copper-Indium-Gallium-Selenide，简称CIGS)作为新一代的薄膜太阳能电池应用已经被研究和开发将近二十年之久。与其他的材料相比，铜铟镓硒的主要特点在于对可见光和近红外线有很高的吸收系数，而且该材料的能带(bandgap)可以根据这四元合金的原子之间的比例做相应的调节。这些优点使得CIGS是有广泛应用潜力的薄膜太阳能电池材料。提高CIGS薄膜太阳能电池的转换效率，一直是该技术的核心关注点，因为它直接影响到该薄膜电池的应用成本和商业价值。
技术实现思路
有鉴于此，特提出本申请，以提高基于铜铟镓硒的薄膜太阳能电池的光电转换效率。本申请是这样实现的：在第一方面，本申请实施例提供了一种薄膜，其具有至少一个重复单元，且每个重复单元具有超晶格结构且包括叠置的下述层：P型半导体层；N型半导体层；透明导电氧化物层。并且，当薄膜具有两个以上的重复单元时，相邻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜，其特征在于，具有至少一个重复单元，每个所述重复单元具有超晶格结构且包括叠置的下述层：/nP型半导体层；/nN型半导体层；/n透明导电氧化物层；/n当薄膜具有两个以上的重复单元时，相邻两个重复单元之间以P型半导体层与透明导电氧化物层相对贴合的欧姆接触的方式叠置。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜，其特征在于，具有至少一个重复单元，每个所述重复单元具有超晶格结构且包括叠置的下述层：
P型半导体层；
N型半导体层；
透明导电氧化物层；
当薄膜具有两个以上的重复单元时，相邻两个重复单元之间以P型半导体层与透明导电氧化物层相对贴合的欧姆接触的方式叠置。


2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，P型半导体层为铜铟镓硒层；
和/或，N型半导体层的材质包括硫化镉、硒化铟或硫化铟。


3.根据权利要求1或2所述的薄膜，其特征在于，所述透明导电氧化物层对可见光和近红外光是透明的；
或者，透明导电氧化物层是掺杂铝的氧化锌层。


4.根据权利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述重复单元包括下述任意一项或多项的厚度特性：
所述铜铟镓硒层的厚度为50纳米至100纳米；
所述N型半导体层的厚度为30纳米至50纳米；
所述透明导电氧化物层的厚度为40纳米至80纳米。


5.根据权利要求2或4所述的薄膜，其特征在于，铜铟镓硒层具有下述原子比例特性：CuIn1-xGaxSe2，其中x＝0.75～0.7；
和/或，铜铟镓硒层中，铜原子、铟原子、镓原子以及硒原子均匀分布，且满足正态分布的3σ值小于5％。


6.一种太阳能电池，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗雨，丘立安，
申请(专利权)人：成都先锋材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51