一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法，属于单晶PERC电池制造领域。针对现有技术中存在的现有技术电池背膜反射率低，电池转换效率低，同时背膜制作工艺温度要求高，耗能大成本高的问题，本发明专利技术提供了一种PERC电池，所述电池包括正面氮化硅膜层，背面氧化铝膜层和背面氮化硅膜层，所述背面氮化硅膜层为五层结构，所述电池制作时先沉积背面氧化铝膜层，再沉积正面氮化硅膜层，最后沉积背面氮化硅膜层的顺序，使用低温制作工艺，不仅提升电池片光电转化效率，提高单晶PERC电池产品的性能，还降低制作过程中耗能，减少制作时间，提高生产效率，适于广泛应用。

【技术实现步骤摘要】
一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法
本专利技术涉及单晶PERC电池制造领域，更具体地说，涉及一种电池背面氮化硅膜层、PERC电池及制备方法。
技术介绍
晶硅太阳能电池目前的主流技术是PERC(PassivatedEmitterRearCell)——发射极及背面钝化电池技术，它通过在电池的后侧上添加一个电介质钝化层来提高转换效率。PERC电池通过在电池背面实行钝化技术，增强光线在硅基的内背反射，降低了背面复合，最大化跨越了P-N结的电势梯度，使得电子更稳定的流动，减少了电子重组，从而使PERC电池的效率得到有效提高。单晶PREC电池背面用氧化铝和氮化硅覆盖是核心技术，由于背膜在硅基片上沉积氧化铝钝化层较薄，需要在此氧化铝膜上沉积氮化硅作保护作用，同时增加背面的反射率，目的得到更优的钝化表面，从而提高长波响应的作用，以此提高Isc/Uoc，从而提升电池的转换效率。背镀膜成膜质量好坏对电池片背面钝化效果及对氧化铝保护有着比较重要的影响，管式PECVD沉积氮化硅过程中，随着温度的升高使氧化铝薄膜中的羟基分解，薄膜中H含量会减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池背面氮化硅膜层，其特征在于，包括五层结构，所述背面五层氮化硅膜层的厚度从里向外依次为α1、α2、α3、α4和α5，α1至α5的厚度为α5≥α3≥α1≥α4≥α2或α5≥α3≥α1≥α2≥α4；所述背面五层氮化硅膜层的折射率从里向外依次为β1、β2、β3、β4和β5，β1至β5的折射率为β1≥β3＞β4＞β2＝β5。/n

【技术特征摘要】
1.一种电池背面氮化硅膜层，其特征在于，包括五层结构，所述背面五层氮化硅膜层的厚度从里向外依次为α1、α2、α3、α4和α5，α1至α5的厚度为α5≥α3≥α1≥α4≥α2或α5≥α3≥α1≥α2≥α4；所述背面五层氮化硅膜层的折射率从里向外依次为β1、β2、β3、β4和β5，β1至β5的折射率为β1≥β3＞β4＞β2＝β5。


2.根据权利要求1所述的一种电池背面氮化硅膜层，其特征在于，所述背面五层氮化硅膜层的厚度取值范围从里向外依次为25nm±5nm、10nm±5nm、30nm±5nm、20nm±5nm和45nm±5nm，所述背面五层氮化硅膜层的折射率取值范围从里向外依次为2.6±0.2、2.1±0.1、2.5±0.1、2.3±0.05和2.1±0.1。


3.根据权利要求2所述的一种电池背面氮化硅膜层，其特征在于，所述背面五层氮化硅膜层的厚度从里向外依次为25nm、10nm、30nm、20nm和45nm，所述背面五层氮化硅膜层的折射率从里向外依次为2.6、2.1、2.5、2.3和2.1。


4.一种PERC电池，其特征在于，包括如权利要求1-3任意一项所述的一种电池背面氮化硅膜层，还包括硅片和设置在硅片背面的背面氧化铝膜层，所述背面氧化铝膜层位于硅片和所述背面氮化硅膜层之间。


5.根据权利要求4所述的一种PERC电池，其特征在于，所述电池还包括设置在硅片正面的正面氮化硅膜层。


6.一种如权利要求4-5任...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱浩，万柳斌，吴朋朋，张基勇，蒋柱，方雯，
申请(专利权)人：通威太阳能安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34