一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、氧化铝钝化层、背面透明导电氧化物层和背面金属电极；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层、n型非晶硅前电场层、正面透明导电氧化物层、正面金属电极；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明专利技术所述异质结电池的p型非晶硅发射极层位于电池的背面，同时利用氧化铝的场效应钝化来钝化p型非晶硅发射极层，提升异质结电池的开路电压和转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及硅太阳电池
，尤其涉及一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池。
技术介绍
近年来，钝化发射极和背面电池(PERC)获得长足的发展，已经取代常规铝背场太阳电池成为主流的晶体硅电池技术。这主要得益于氧化铝(AlOx)背钝化膜的应用。AlOx薄膜与其他钝化材料的主要区别在于AlOx/Si接触面具有大量的固定负电荷，能屏蔽p型表面的少子，表现出显著的场效应钝化特性。非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的结构是在n型单晶硅片的正面从里到外依次是本征非晶硅薄膜层、p型非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层(TCO)和正面电极；背面从里到外依次是本征非晶薄膜层、n型非晶硅薄膜层、TCO层和背面电极。这里在p型非晶硅和n型单晶硅的p-n异质结之间插入了一层本征非晶硅，实现异质结界面的良好钝化效果。但是p型非晶硅作为发射极直接与TCO层接触，没有良好的钝化，影响着电池的开路电压。因此，实现对p型非晶硅发射极的钝化将成为异质结电池提效的手段之一。借鉴PERC电池的氧化铝钝化的思路，用氧化铝薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片(1)为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层(2)、p型非晶硅发射极层(3)、氧化铝钝化层(4)、背面透明导电氧化物层(5)和背面金属电极(6)；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层(7)、n型非晶硅前电场层(8)、正面透明导电氧化物层(9)、正面金属电极(10)；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p-n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层(3)与n型单晶硅片(1)之间形成p-n异质结。/n

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片(1)为衬底，在衬底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层(2)、p型非晶硅发射极层(3)、氧化铝钝化层(4)、背面透明导电氧化物层(5)和背面金属电极(6)；在衬底硅片的正面由内至外依次为正面本征非晶硅层(7)、n型非晶硅前电场层(8)、正面透明导电氧化物层(9)、正面金属电极(10)；所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的p-n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层(3)与n型单晶硅片(1)之间形成p-n异质结。


2.如权利要求1所述的氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，其特征在于，所述氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池，电池背面需进行激光开槽，槽孔贯穿所述的背面透明导电氧化物层(5)和氧化铝钝化层(4)，然后再进行低温银浆的丝网印刷和低温烧结，以实现背面金属电极的良好接触。


3.权利要求1或2所述的氧化铝钝化的背结硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，准备工业级晶向为100的n型Cz单晶硅片，进行标准清洗、制绒工艺，得到预处理后的n型单晶硅片；
步骤2，在清洗后的硅片正面用等离子增强化学气相沉积依次沉积正面本征非晶硅层(7)、n型非晶硅前电场层(8)；背面用PECVD依次沉积背面本征非晶硅层(2)、p型非晶硅发射极层(3)；
步骤3，在步骤2得到所述硅片的背面用原子层沉积或PECVD沉积氧化铝钝化层(4)；
步骤4，在步骤3得到所述硅片的正面和背面用磁控溅射的方法分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈昌明，周国平，李正平，刘超，杨杰，任栋樑，徐小娜，
申请(专利权)人：熵熠上海能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31