一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶硅层、氮化硅减反射层、正面金属电极；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层和n型多晶硅层；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p‑n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层与n型单晶硅片之间形成p‑n异质结。本发明专利技术在电池正面引入钝化接触结构，能实现正面良好的全面积钝化，将p‑n异质结置于电池背面，能够拓宽异质结电池的工艺窗口，有利于电池的优化设计。

【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法
本专利技术涉及硅太阳电池
，尤其涉及一种钝化接触背结硅异质结太阳电池及其制备方法。
技术介绍
近年来，热门的隧穿氧化钝化接触(TOPCon)技术在晶硅太阳电池中受到重视。TOPCon结构由超薄氧化硅(SiO2)层和掺杂多晶硅(poly-Si)层组成，TOPCon结构中的掺杂多晶硅与晶硅衬底实际形成的是异质结，TOPCon结构具有载流子选择性，具有全面积钝化接触的特性，钝化效果较好。而具有本征薄层的硅异质结太阳电池(HJT)本身就是异质结、全面积钝化。因此，TOPCon和HJT两种技术可以互相融合。主要是基于TOPCon技术与现有晶硅电池技术基本兼容，而HJT技术则是完全不同的工艺。如果将TOPCon和HJT两种技术融合，一方面可以发挥TOPCon在低接触电阻时也能得到较低的复合电流密度(<10fA·cm-2)和能兼容高温金属化工艺的特点，另一方面也能发挥HJT高效率的特点。对硅异质结电池的研究，大部分工作集中于正面结结构，即入光面是p型非晶硅(a-Si:H(p))发射极一侧。然而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片(1)为基底，在n型单晶硅片(1)的背面由内至外依次为本征非晶硅层(2)、p型非晶硅发射极层(3)、透明导电氧化物薄膜层(4)和背面金属栅线电极(5)；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层(6)、n型多晶硅层(7)、氮化硅减反射层(8)、正面金属电极(9)；/n所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层(6)和n型多晶硅层(7)；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p-n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层(3)与n型单晶硅片(1)之间形成p-n异质结。/n

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片(1)为基底，在n型单晶硅片(1)的背面由内至外依次为本征非晶硅层(2)、p型非晶硅发射极层(3)、透明导电氧化物薄膜层(4)和背面金属栅线电极(5)；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层(6)、n型多晶硅层(7)、氮化硅减反射层(8)、正面金属电极(9)；
所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的钝化接触层位于电池正面，包括超薄氧化硅层(6)和n型多晶硅层(7)；所述钝化接触背结硅异质结太阳电池的p-n异质结位于电池背面，由p型非晶硅层(3)与n型单晶硅片(1)之间形成p-n异质结。


2.如权利要求1所述的钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，所述的超薄氧化硅层(6)用低压化学气相沉积而得，厚度为～1.5nm。


3.如权利要求1所述的钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，所述的n型多晶硅层(7)是先用低压化学气相沉积方法在管式炉中通过硅烷热分解沉积得到多晶硅层，随后再进行高温磷扩散掺杂形成的，厚度为～25nm。


4.权利要求1～3任一项所述的钝化接触背结硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，准备工业级晶向为(100)的n型Cz单晶硅片，进行标准清洗、制绒工艺，得到预处理后的n型单晶硅片(1)；
步骤2，在制绒后的硅片放入管式低压化学气相沉积设备中，在550～600℃条件下热氧化，在所述硅片的正表面形成超薄氧化硅层(6)；接着在所述硅片的正表面于相同LPCVD管式炉中通过硅烷热分解沉积多晶硅层，随后进行高温磷扩散掺杂形成n型多晶硅层(7)；这样便得...

【专利技术属性】
技术研发人员：任栋樑，陈昌明，杨杰，李正平，刘超，徐小娜，周国平，
申请(专利权)人：熵熠上海能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31