一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，包括硅层衬底、设置在硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在硅层衬底背面的本征非晶硅层二；所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层A和TCO层一，还包括：受光面掺杂层和TCO层二，所述受光面掺杂层设置在所述本征非晶硅层一的正面，所述TCO层二设置在所述受光面掺杂层的正面；所述受光面掺杂层至少包括掺杂非晶硅层B和掺杂微晶硅层。本发明专利技术制备的高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池在减小HJT电池受光面非晶硅寄生吸收的同时，也提高受光面非晶硅层的导电性，膜层同时具有优异的光学性能和电学性能。

A high efficiency crystalline silicon / amorphous silicon heterojunction solar cell and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能电池制造领域，涉及一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能因其清洁安全无污染的特点成为利用效率最高的可再生资源之一。光伏技术作为太阳能最重要的应用之一，可以有效的改变能源消费结构、减小全球变暖和生态环境的增长式恶化趋势。因此大力发展光伏技术具有深远而重大的意义。随着光伏技术水平的飞速进步和发展，晶硅太阳能电池的转换效率逐年提高，当前的光伏工业界，单晶硅太阳能电池的转换效率已经达到20％以上。同时，开发高效电池的项目受到了越来越多的重视，尤其是硅基异质结(HJT)太阳电池。因其制造流程短、制备工艺温度低，同时具备高转化效率、高开路电压、低温度系数、无光致衰减(LID)、无电致衰减(PID)、适合使用薄型硅片制作可弯曲的电池组件、发电量多等优势，HJT成为一个可以和其他能源技术相竞争的最具潜力的重要研究方向之一。HJT电池是在硅片的前后表面沉积较薄的本征非晶硅薄膜进行钝化，然后在前后本征层上分别沉积掺杂的p与n非晶硅层，形成异质结电池结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，包括：硅层衬底、设置在所述硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在所述硅层衬底背面的本征非晶硅层二；所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层A和TCO层一，其特征在于，还包括：受光面掺杂层和TCO层二，所述受光面掺杂层设置在所述本征非晶硅层一的正面，所述TCO层二设置在所述受光面掺杂层的正面；/n所述受光面掺杂层至少包括一层掺杂微晶硅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，包括：硅层衬底、设置在所述硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在所述硅层衬底背面的本征非晶硅层二；所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层A和TCO层一，其特征在于，还包括：受光面掺杂层和TCO层二，所述受光面掺杂层设置在所述本征非晶硅层一的正面，所述TCO层二设置在所述受光面掺杂层的正面；
所述受光面掺杂层至少包括一层掺杂微晶硅层。


2.根据权利要求1所述的一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述受光面掺杂层结构包括一层掺杂微晶硅层；或所述掺杂微晶硅层正面设置一层掺杂非晶硅层B；或所述掺杂微晶硅层背面设置一层掺杂非晶硅层B；或所述掺杂微晶硅层正面和背面分别设置一层掺杂非晶硅层B。


3.根据权利要求2所述的一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂微晶硅层的折射率为3.3-3.8，所述掺杂非晶硅层的折射率为3.8-4.3。


4.根据权利要求2所述的一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述受光面掺杂层厚度为3-10nm，掺杂非晶硅层B的厚度为0-9nm，掺杂微晶硅层的厚度为1-10nm。


5.根据权利要求1所述的一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层一和本征非晶硅层二的厚度均为3-10nm，所述掺杂非晶硅层A的厚度为3-20nm，所述TOC层一和TOC层二的厚度均为70-120nm。


6.如权利要求1-5任一所述的一种高效晶硅/非晶硅异...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯乐，白焱辉，王继磊，张娟，高勇，白星亮，黄金，杨骥，任法渊，贾慧君，
申请(专利权)人：晋能光伏技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：山西;14