TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法技术

技术编号:45665200 阅读:19 留言:0更新日期:2025-06-27 19:04
本发明专利技术涉及一种TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法,属于太阳能电池制备技术领域。包括:进舟、预热并抽真空;检漏并抽真空;氨气预沉积;辉光放电;抽真空;预沉积硅烷和氨气;沉积第一氮化硅膜层;沉积第二氮化硅膜层;沉积第三氮化硅膜层;沉积第四氮化硅膜层;抽真空、吹扫炉管、恢复气压后出舟。本发明专利技术可以在TOPCon电池正面形成叠层的纯氮化硅减反膜,不仅具有良好的减反射效果,还能对硅片表面进行钝化,提高电池的性能。同时,因为氮化硅膜层具有更好的致密性,可显著提升电池片的抗PID、UV衰减性能。此外,该工艺还可以取消笑气(N<subgt;2</subgt;O)的耗用,进而取消尾排笑气尾气处理设备,从而可以降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池制备,尤其涉及一种topcon电池正面叠层减反膜的制备方法。


技术介绍

1、topcon电池,全称为tunnel oxide passivated contact电池,是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触的太阳能电池,近年来,由于其高转换效率、低衰减性能、高性价比等明显优势,逐步被行业企业采纳。其电池结构为n型硅衬底电池,在电池背面制备一层超薄氧化硅,然后再沉积一层掺杂硅薄层,二者共同形成了钝化接触结构,有效降低表面复合和金属接触复合。由于优异的载流子选择性钝化接触性能,使得用topcon电池理论极限效率高达28.7%,是最接近晶体硅太阳电池理论极限效率(29.43%)的技术,具有非常远大的研发潜力。

2、目前市场制备topcon电池的正面减反射膜层主要使用pecvd工艺(等离子增强化学气相沉积法)制备,具体为:向反应室内通入硅烷(sih4)、氨气(nh3)和一氧化二氮(n2o)等反应气体,在电场的作用下电离形成等离子体,等离子体中的高能电子与反应气体分子碰撞,使其激发、离解或电离,从而生成反应所需的活性基团,本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述S1中的进舟、预热并抽真空,包括:

3.根据权利要求1所述的TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述S2中的检漏并抽真空,包括:

4.根据权利要求1所述的TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述S3中的氨气预沉积,包括:

5.根据权利要求1所述的TOPCon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述S4中的辉光放电,包括:

<p>6.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种topcon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的topcon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述s1中的进舟、预热并抽真空,包括:

3.根据权利要求1所述的topcon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述s2中的检漏并抽真空,包括:

4.根据权利要求1所述的topcon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述s3中的氨气预沉积,包括:

5.根据权利要求1所述的topcon电池正面叠层减反膜的制备方法,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:穆晓超崔宁张伟郝鹏飞王菲杨海翠颉林娜杨立友
申请(专利权)人:晋能光伏技术有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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