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本发明提供了一种钝化接触背结硅异质结太阳电池，其特征在于，以n型单晶硅片为基底，在基底硅片的背面由内至外依次为背面本征非晶硅层、p型非晶硅发射极层、透明导电氧化物薄膜层和背面金属栅线电极；在基底硅片的正面由内至外依次为超薄氧化硅层、n型多晶...
该专利属于熵熠(上海)能源科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过熵熠(上海)能源科技有限公司授权不得商用。

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