硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法技术

本申请公开了一种硅异质结太阳能电池背场结构。所述背场结构包括：p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；形成在所述背场面上的第一本征钝化层；形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；以及形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。本申请还公开了所述硅异质结太阳能电池背场结构的制备方法和一种硅异质结太阳能电池。本申请的背场结构的p型硅掺杂层和TCO界面的对p型硅基底的空穴的肖特基势垒的高度较低，硅异质结太阳能电池的填充因子和转换效率较高。

Silicon heterojunction solar cell and its back field structure and preparation method of back field structure

【技术实现步骤摘要】
硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法
本申请涉及但不限于光伏
，尤其涉及但不限于一种硅异质结太阳能电池及其背场结构和背场结构的制备方法。
技术介绍
硅异质结(SiliconHeterojunction，SHJ)太阳能电池因其开路电压高、转换效率高、温度系数低、工艺流程简单、无光致衰减等突出优点，近年来受到了光伏学术界及工业界的广泛关注，成为高效太阳能电池技术的热门发展方向。目前，p型硅异质结太阳能电池的基本结构为：p型硅基底的两面沉积有本征钝化层，其中一面的本征钝化层上沉积有p型硅掺杂层，另外一面的本征钝化层上沉积有n型掺杂层，而在p型硅掺杂层和n型掺杂层上分设有透明导电氧化(TransparentConductiveOxide，TCO)层和电极。其中，p型硅掺杂层、本征钝化层和p型硅基底形成具有p+-i-p结构的SHJ太阳能电池的背场，背场可收集多数光生载流子(即p型硅基底中的空穴)。与此同时，p型硅基底另一面的本征钝化层上沉积的n型掺杂层可作为光生载流子分离、收集和传输层。而最终SHJ太阳能电池的电流将分别由上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅异质结太阳能电池背场结构，包括：/np型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；/n形成在所述背场面上的第一本征钝化层；/n形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；/n其特征在于，进一步包括形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；/n所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅异质结太阳能电池背场结构，包括：
p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；
形成在所述背场面上的第一本征钝化层；
形成在所述第一本征钝化层上的p型硅掺杂层；
其特征在于，进一步包括形成在所述p型硅掺杂层上的吸附原子层；
所述吸附原子层包括沉积在所述p型硅掺杂层的表面且与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子。


2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述p型硅基底为p型晶硅基底，所述第一本征钝化层为本征硅基薄膜，所述p型硅掺杂层为p型硅基薄膜。


3.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子层的厚度为0.5nm至1.5nm。


4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子的泡林电负性小于硅的泡林电负性，并且所述吸附原子的共价半径大于硅的共价半径。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子为非过渡金属的原子。


6.根据权利要求1至4中任一项所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子选自元素周期表中I、II、III和IV主族元素的原子中的任意一种或更多种。


7.根据权利要求1至4中任一项所述的硅异质结太阳能电池背场结构，其特征在于，所述吸附原子选自钾、铷、铯、镁、钙、锶、钡、铝、镓、铟和锗的原子中的任意一种或更多种。


8.一种制备硅异质结太阳能电池背场结构的方法，包括：
提供p型硅基底，所述p型硅基底具有背场面；
在所述背场面上形成第一本征钝化层；
在所述第一本征钝化层上形成p型硅掺杂层；
其特征在于，进一步包括：在所述p型硅掺杂层上沉积可与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子，以在所述p型硅掺杂层上形成吸附原子层。


9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述p型硅掺杂层上沉积可与所述p型硅掺杂层的表面的硅原子形成正偶极矩势场的吸附原子...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙巍，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11