真空反应腔室和真空镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种真空反应腔室和真空镀膜设备，涉及真空设备领域。该真空反应腔室，包括：用于提供真空环境的外腔体，以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔；所述内反应腔的侧壁上设有自动门，所述自动门连接自动门控制器，工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔中。利用该真空反应腔室能够解决现有真空设备中由于只设置一个反应腔室造成的工艺环境易被污染、工艺原料易被浪费、环境温度可控性低等问题，达到降低污染，提高工艺质量的目的。

【技术实现步骤摘要】
真空反应腔室和真空镀膜设备
本技术涉及真空设备领域，尤其涉及一种真空反应腔室和真空镀膜设备。
技术介绍
目前，真空设备，例如，PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，等离子体增强化学气相沉积)和PVD(PhysicalVaporDeposition，物理气相沉积)设备已被广泛应用于各种产品的生产过程中，如光伏电池、半导体器件等等。真空设备中(如PECVD设备、PVD设备)的核心反应室通常为单个反应腔室，传动部件和升降部件等机械模块部件以及溅射靶材等工艺模块部件均设置于该单个反应腔室内，这就造成反应腔室内的工艺环境不够封闭，容易造成工艺环境污染。另外，设置单个反应腔室时，由于工艺反应区域较大，容易造成工艺所需原料的浪费，同时，还会造成工艺反应过程中温度波动大，不可控因素较多，从而影响工艺过程。
技术实现思路
本技术的第一目的在于提供一种真空反应腔室，以解决现有真空设备中由于只设置一个反应腔室造成的工艺环境易被污染、工艺原料易被浪费、环境温度可控性低等问题。本技术的第二目的在于提供一种包含本技术真空反应腔室的真空镀膜设备。为达到上述目的，本技术采用的技术方案如下：一种真空反应腔室，包括：用于提供真空环境的外腔体，以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔；所述内反应腔的侧壁上设有自动门，所述自动门连接自动门控制器，工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔中。进一步地，所述外腔体包括第一底板和沿所述第一底板周向设置的第一侧壁；所述内反应腔包括第二底板和沿所述第二底板周向设置的第二侧壁；所述第一底板与所述第二底板相互分离设置，所述第一侧壁与所述第二侧壁相互分离设置；所述第一侧壁与盖设于所述第一侧壁上的密封盖板密闭连接，所述第二侧壁与所述密封盖板相互分离设置。进一步地，所述自动门设置于所述第二侧壁上，所述外腔体内设有传送装置，所述工件自所述传送装置经所述自动门传递至所述内反应腔中。进一步地，所述第二底板和/或所述第二侧壁上设有用于对所述内反应腔进行控温的温控装置。进一步地，所述温控装置包括温控管，所述温控管连接位于外腔体外的恒温控制器。进一步地，所述温控管包括加热管和/或冷却管。进一步地，所述加热管包括电加热管、水加热管或油加热管；所述冷却管包括水冷却管或油冷却管。进一步地，所述温控管缠绕于所述第二侧壁的外部，且所述温控管铺设于所述第二底板的底部。进一步地，所述第二底板内和所述第二侧壁内均设有用于穿设温控管的通道，所述温控管埋设于所述通道内。一种真空镀膜设备，包括机械模块部件、工艺模块部件和本技术所述的真空反应腔室，所述工艺模块部件位于所述内反应腔内，部分所述机械模块部件位于所述外腔体内。本技术实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：本技术提供的真空反应腔室，包括用于提供真空环境的外腔体，以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔；并且，内反应腔的侧壁上设有自动门，工件自外腔体经自动门进入内反应腔中。其中，外腔室和内反应腔为嵌套结构，其内反应腔位于外腔室内。该结构中，相当于设置了两个腔室，其中外腔体用于提供真空环境，而工艺反应则在内反应腔中进行。由于采用双腔室结构，可以将工艺模块部件设置于内反应腔中，而与工艺反应无直接关系的机械模块部件则被设置于外腔室中。经抽真空处理后，位于外腔体中的工件再经自动门进入内反应腔中进行工艺反应，可以有效避免设备杂质和工件杂质进入内反应腔中。该结构可以避免工艺环境外的污染源进入工艺反应区域，避免工艺污染，提供工艺质量。由于设置双腔室，作为工艺反应区的内反应腔相对较小，因此可以有效减少工艺原料的浪费，降低原料的使用成本，提高原料的利用率。同时，由于工艺反应区的减少，可以有效控制该区域内的温度，使该区域内的工艺温度更易于均匀化，进而提高工艺质量。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术一种实施方式的真空反应腔室的结构示意图；图2为图1所示结构中的剖视结构示意图；图3为设置于第二底板底部的温控管的结构示意图。图标：10-外腔体；11-第一底板；12-第一侧壁；13-传送装置；20-内反应腔；21-第二底板；22-第二侧壁；23-自动门；30-密封盖板；40-温控管；41-恒温控制器。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术一种实施方式的真空反应腔室，其结构如图1和图2所示，包括：用于提供真空环境的外腔体10，以及位于所述外腔体10内的用于进行工艺反应的内反应腔20；所述内反应腔20的侧壁上设有自动门23，所述自动门23连接自动门控制器，工件自所述外腔体10经所述自动门23进入所述内反应腔20中。本实施方式提供的真空反应腔室，外腔室和内反应腔20为嵌套结构，其内反应腔20位于外腔室内。该结构中，相当于设置了两个腔室，其中外腔体10用于隔绝大气，提供真空环境，而内反应腔20中的区域为工艺反应区，形成相对封闭的工艺环境，相关工艺反应在内反应腔20中进行。由于采用双腔室结构，可以将工艺模块部件设置于内反应腔20中，而与工艺反应无直接关系的机械模块部件则被设置于外腔室中。经抽真空处理后，位于外腔体10中的工件再经自动门23进入内反应腔20中进行工艺反应，可以有效避免设备杂质和工件杂质进入内反应腔20中。该结构可以避免工艺环境外的污染源进入工艺反应区域，避免工艺污染，提供工艺质量。由于设置双腔室，作为工艺反应区的内反应腔20相对较小，因此可以有效减少工艺原料的浪费，降低原料的使用成本，提高原料的利用率。同时，由于工艺反应区的减少，可以有效控制该区域内的温度，使该区域内的工艺温度更易于均匀化，进而提高工艺质量。需要说明的是，内反应腔20位于外腔体10内，但内反应腔20和外腔体10处于可连通状态，并非完全隔绝，当对外腔体10进行抽真空处理时，内反应腔20内也同时进行抽真空操作。外腔体10和内反应腔20处于相互连通的状态，只是在外腔体10内划分出了一个立体空间以进行工艺反应。本实施方式中，参照图2，所述外腔体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空反应腔室，其特征在于，包括：用于提供真空环境的外腔体，以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔；/n所述内反应腔的侧壁上设有自动门，所述自动门连接自动门控制器，工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔中。/n

【技术特征摘要】
1.一种真空反应腔室，其特征在于，包括：用于提供真空环境的外腔体，以及位于所述外腔体内的用于进行工艺反应的内反应腔；
所述内反应腔的侧壁上设有自动门，所述自动门连接自动门控制器，工件自所述外腔体经所述自动门进入所述内反应腔中。


2.根据权利要求1所述的真空反应腔室，其特征在于，所述外腔体包括第一底板和沿所述第一底板周向设置的第一侧壁；
所述内反应腔包括第二底板和沿所述第二底板周向设置的第二侧壁；
所述第一底板与所述第二底板相互分离设置，所述第一侧壁与所述第二侧壁相互分离设置；
所述第一侧壁与盖设于所述第一侧壁上的密封盖板密闭连接，所述第二侧壁与所述密封盖板相互分离设置。


3.根据权利要求2所述的真空反应腔室，其特征在于，所述自动门设置于所述第二侧壁上，所述外腔体内设有传送装置，所述工件自所述传送装置经所述自动门传递至所述内反应腔中。


4.根据权利要求2或3所述的真空反应腔室，其特征在于，所述第二底板和/或所述第二侧壁上设有用于对所述内反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨娜，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11