【技术实现步骤摘要】
一种静电辅助外延生长的方法
本专利技术属于微纳米薄膜领域，特别涉及一种静电辅助外延生长的方法。
技术介绍
化学气相外延技术可任意改变膜层的导电类型及掺杂浓度，广泛应用在半导体，面板，发光二极管及光伏等高科技领域。然而通常化学气相外延设备需要很高温度，生长速率也非常慢，导致产品成本居高不下，为此，我们提出一种静电辅助外延生长的方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种静电辅助外延生长的方法，可以有效解决
技术介绍
中的问题。为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：一种静电辅助外延生长的方法，静电辅助外延生长的方法具体为在生长过程中将待处理产品置于静电载盘上，使产品表面带有静电，通过静电吸附的原理将前物体吸附在产品上，加快反应。优选的，所述静电载盘和真空腔室保持绝缘，真空腔室接地，保持零电位。优选的，所述静电载盘和高压直流电源之间连接放电电阻。优选的，高压直流电源另一个电极和地之间连接放电电阻。优选的，静电载盘的带电类型可根据需要时时转化。优选的，高压直流电源提供的电压可根据需要时时调控，调控范围-1kV到+1kV。优选的，静电载盘和高压直流电源一个电极相连。优选的，高压直流电源另一个电极接地。与现有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：该静电辅助外延生长的方法，旨在提高化学气相外延膜层生长速率，和/或降低的反应温度，进而降低产品成本，是在生长过程中将待处理产品置于静电载盘上，使产品表面带有静电，通过静...
【技术保护点】
1.一种静电辅助外延生长的方法，其特征在于，静电辅助外延生长的方法具体为在生长过程中将待处理产品置于静电载盘上，使产品表面带有静电，通过静电吸附的原理将前物体吸附在产品上，加快反应。/n
【技术特征摘要】
1.一种静电辅助外延生长的方法，其特征在于，静电辅助外延生长的方法具体为在生长过程中将待处理产品置于静电载盘上，使产品表面带有静电，通过静电吸附的原理将前物体吸附在产品上，加快反应。
2.根据权利要求1所述的一种静电辅助外延生长的方法，其特征在于，所述静电载盘和真空腔室保持绝缘，真空腔室接地，保持零电位。
3.根据权利要求1所述的一种静电辅助外延生长的方法，其特征在于，所述静电载盘和高压直流电源之间连接放电电阻。
4.根据权利要求1所述的一种静电辅助外延生长的方法，其特征在于，高压直流电...
【专利技术属性】
技术研发人员：宣荣卫，吕俊，
申请(专利权)人：艾华无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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