【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空镀膜，特别涉及一种真空板式镀膜设备。
技术介绍
1、真空镀膜技术是一种在真空中利用物理或化学方法，将材料从气态、液态或固态中沉积在基底表面，形成薄膜的技术。这种技术在许多领域都有广泛的应用，如电子、光学、机械、化学等领域。为了保证反应腔室内的洁净环境，反应腔室内的所有部件不可以有油脂或粉末类物质，摩擦阻力较大；同时，由于反应腔室内的高温环境，在反应腔室内无法配置电机和气缸等驱动结构，这些问题给硅片在真空高温的反应腔室内高速移动带来了很大困难。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种真空板式镀膜设备，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、一种真空板式镀膜设备，包括：
4、反应腔室，所述反应腔室的顶部设置有多个进气口，所述多个进气口用于通入反应气体；
5、真空泵，所述真空泵通过真空挡板阀、排气管道连通所述反应腔室，所述真空泵用于将所述反应腔室内反应完成后残留的反应气体抽出；
6、气浮导轨，所述气浮导轨设置于所述反应腔室的内底面上；
7、硅片载板，所述硅片载板位于所述气浮导轨顶部，所述硅片载板用于放置多个硅片；
8、驱动单元，所述驱动单元用于驱动所述硅片载板沿着所述气浮导轨往复滑动。
9、优选地，所述驱动单元包括设置于所述反应腔室一侧的内侧壁上的真空波纹管和设置于所述反应腔室外侧的第一两位三通阀，所述第一两位三通阀的管
10、优选地，所述反应腔室的底部设置有进气道，所述进气道用于通入惰性气体，所述气浮导轨包括底座和匀流吹气板，所述底座和所述匀流吹气板具有一间隙，所述进气道与所述间隙连通，所述匀流吹气板上均匀分布有多个细缝。
11、优选地，所述反应腔室一另侧的内侧壁上设置有第一弹簧，所述第一弹簧与所述真空波纹管对齐。
12、优选地，所述驱动单元包括设置于所述反应腔室下方的第二两位三通阀，所述第二两位三通阀的管口一用于通入惰性气体，所述第二两位三通阀的管口二连接多个第一进气管，所述第二两位三通阀的管口三连接多个第二进气管。
13、优选地，所述气浮导轨上均匀分布有向左倾斜的多个第一吹气孔和向右倾斜的多个第二吹气孔，所述多个第一进气管与所述多个第一吹气孔一一对应且连通，所述多个第二进气管与所述多个第二吹气孔一一对应且连通。
14、优选地，所述反应腔室内壁的两侧壁分别设置有第二弹簧，两个所述第二弹簧对齐。
15、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
16、本专利技术的实施方式提供的一种真空板式镀膜设备通过通入惰性气体在气浮导轨和硅片载板上形成一层气膜，使得硅片载板悬浮在气浮导轨上方，由于气膜的存在，硅片载板可以在气浮导轨上高速滑动，且摩擦系数极小，从而实现了硅片载板在反应腔室内的高速无油无摩擦的运动导向，满足了硅片在真空高温的反应腔室内高速移动的需求。
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1.一种真空板式镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述驱动单元包括设置于所述反应腔室（1）一侧的内侧壁上的真空波纹管（8）和设置于所述反应腔室（1）外侧的第一两位三通阀（9），所述第一两位三通阀（9）的管口一连接所述真空波纹管（8），所述第一两位三通阀（9）的管口二连接有高压进气管（10），所述第一两位三通阀（9）的管口三连接有排气管（11）。
3.根据权利要求2所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述反应腔室（1）的底部设置有进气道（12），所述进气道（12）用于通入惰性气体，所述气浮导轨（5）包括底座和匀流吹气板，所述底座和所述匀流吹气板具有一间隙，所述进气道（12）与所述间隙连通，所述匀流吹气板上均匀分布有多个细缝。
4.根据权利要求3所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述反应腔室（1）一另侧的内侧壁上设置有第一弹簧（13），所述第一弹簧（13）与所述真空波纹管（8）对齐。
5.根据权利要求1所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述驱动单元包括设置于所述反应腔
6.根据权利要求5所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述气浮导轨（5）上均匀分布有向左倾斜的多个第一吹气孔和向右倾斜的多个第二吹气孔，所述多个第一进气管（15）与所述多个第一吹气孔一一对应且连通，所述多个第二进气管（16）与所述多个第二吹气孔一一对应且连通。
7.根据权利要求6所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述反应腔室（1）内壁的两侧壁分别设置有第二弹簧（17），两个所述第二弹簧（17）对齐。
...【技术特征摘要】
1.一种真空板式镀膜设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述驱动单元包括设置于所述反应腔室（1）一侧的内侧壁上的真空波纹管（8）和设置于所述反应腔室（1）外侧的第一两位三通阀（9），所述第一两位三通阀（9）的管口一连接所述真空波纹管（8），所述第一两位三通阀（9）的管口二连接有高压进气管（10），所述第一两位三通阀（9）的管口三连接有排气管（11）。
3.根据权利要求2所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述反应腔室（1）的底部设置有进气道（12），所述进气道（12）用于通入惰性气体，所述气浮导轨（5）包括底座和匀流吹气板，所述底座和所述匀流吹气板具有一间隙，所述进气道（12）与所述间隙连通，所述匀流吹气板上均匀分布有多个细缝。
4.根据权利要求3所述的一种真空板式镀膜设备，其特征在于，所述反应腔室（1）一另侧的内侧壁上设置有...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱刚祥，
申请(专利权)人：艾华无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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