【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ibc电池制造，特别涉及一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法。
技术介绍
1、太阳能电池作为一种新能源越来越受到大家的关注。ibc太阳能电池由于正、负电极均处于背面，避免了常规太阳能电池正面电极对入射光的遮蔽作用，可以最大限度利用入射光，提升太阳能电池的转化效率。典型的ibc电池结构的背面的p区和n区交叉存在。要实现这样的图形化的薄膜结构，通常需要复杂昂贵的工艺流程。早期，实验室中通过光刻技术来实现图形化薄膜。光刻技术昂贵、复杂，很难应用于大规模生产。近年来，激光成为流行的图形结构的实现方式。但即使激光工艺可以大幅度降低图形化薄膜的工艺难度以及工艺成本，但还是面临着对衬底造成损伤的风险，以及多次镀膜的成本问题。
2、针对以上问题，本专利技术提出一种图形化薄膜的原位沉积方法，可以有效缩短ibc电池的工艺流程，大幅度降低工艺成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的一方面提供了一种图形化薄膜的原位沉积机构，包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口、第二反应气体进气口，所述第一反应气体进气口和所述第二反应气体进气口之间设置有惰性气体进气口，所述第一反应气体进气口用于通入第一反应气体在硅片上形成第一沉积薄膜，所述第二反应气体进气口用于通入第二反应气体在硅片上形成第二沉积薄膜，所述惰性气体进
3、优选地，所述第一反应气体进气口和所述第二反应气体进气口的内壁设置有射频电源，所述第一反应气体进气口和所述第二反应气体进气口朝向硅片的一端设置有锥形喷嘴，所述锥形喷嘴的开口的范围为0.1-1mm。
4、优选地，所述第一沉积薄膜的宽度为d1、所述第二沉积薄膜的宽度为d2，所述第一沉积薄膜的宽度和所述第二沉积薄膜的间隔为d3，所述第一反应气体进气口、所述第二反应气体进气口以及所述与硅片的距离为d4，所述d1、所述d2、所述d3以及所述d4的范围为0.2-2mm。
5、优选地，所述第一反应气体为sih4、ph3、h2混合气体，所述第二反应气体为sih4、b2h6、h2混合气体。
6、本专利技术的另一方面提供了一种图形化薄膜的原位沉积方法，适用于前文所述的图形化薄膜的原位沉积机构，包括以下步骤：
7、s1、硅片经过正面刻蚀和背面抛光之后，在硅片背面通过原位氧化或沉积方式生长一层氧化硅层，硅片传输进反应腔室，机械传输平台控制硅片位置；
8、s2、第一反应气体进气口通入sih4、ph3、h2混合气体，第二反应气体进气口通入sih4、b2h6、h2混合气体，两种混合气体在流经各自进气口时被射频电源电离成等离子体；在第一反应气体进气口对应硅片上的位置沉积n型非晶硅形成第一沉积薄膜，在第二反应气体进气口对应硅片上的位置沉积p型非晶硅形成第二沉积薄膜；
9、s3、反应完成后，关闭进气，机械传输平台带动硅片移动距离d，d=（d1+2*d3+d2）；
10、s4、硅片到位后，重复步骤s2、s3，直至整个硅片沉积满第一沉积薄膜和第二沉积薄膜交替的阵列；
11、s5、将硅片进行高温退火，使得第一沉积薄膜中的n型非晶硅和第二沉积薄膜中的p型非晶硅晶化为多晶硅，形成n区和p区；
12、s6、在硅片背面沉积一层氮化硅；
13、s7、通过丝网印刷在n区和p区分别印刷电极，并进行烧结。
14、优选地，步骤s3还包括：
15、如果反应腔室内设置包含n组的第一反应气体进气口、第二反应气体进气口的阵列，则移动距离d=n*（d1+2*d2+d3）。
16、与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
17、本专利技术的实施方式提供的一种图形化薄膜的原位沉积方法通过第一反应气体进气口、第二反应气体进气口分别通入第一反应气体和第二反应气体，利用射频电源将第一反应气体和第二反应气体电离成等离子体，配合机械传输平台带动硅片移动，整个硅片沉积满第一沉积薄膜和第二沉积薄膜交替的阵列，经高温退火后形成n区和p区，沉积一层氮化硅后在在n区和p区分别印刷电极，烧结后完成制备，本专利技术有效地缩短了ibc电池的工艺流程，大幅度降低了工艺成本。
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1.一种图形化薄膜的原位沉积机构，其特征在于，包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口（1）、第二反应气体进气口（2），所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）之间设置有惰性气体进气口（3），所述第一反应气体进气口（1）用于通入第一反应气体在硅片上形成第一沉积薄膜，所述第二反应气体进气口（2）用于通入第二反应气体在硅片上形成第二沉积薄膜，所述惰性气体进气口（3）用于通入氮气或氩气。
2.根据权利要求1所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）的内壁设置有射频电源，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）朝向硅片的一端设置有锥形喷嘴，所述锥形喷嘴的开口的范围为0.1-1mm。
3.根据权利要求2所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，所述第一沉积薄膜的宽度为d1、所述第二沉积薄膜的宽度为d2，所述第一沉积薄膜的宽度和所述第二沉积薄膜的间隔为d3，所述第一反应气体进气口（1）、所述第二反应气体进气口（2）
4.根据权利要求3所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，所述第一反应气体为SiH4、PH3、H2混合气体，所述第二反应气体为SiH4、B2H6、H2混合气体。
5.一种图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，适用于权利要求4所述的图形化薄膜的原位沉积机构，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，步骤S3还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种图形化薄膜的原位沉积机构，其特征在于，包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口（1）、第二反应气体进气口（2），所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）之间设置有惰性气体进气口（3），所述第一反应气体进气口（1）用于通入第一反应气体在硅片上形成第一沉积薄膜，所述第二反应气体进气口（2）用于通入第二反应气体在硅片上形成第二沉积薄膜，所述惰性气体进气口（3）用于通入氮气或氩气。
2.根据权利要求1所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）的内壁设置有射频电源，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）朝向硅片的一端设置有锥形喷嘴，所述锥形喷嘴的开口的范围为0.1-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：宣荣卫，孙胜华，钱刚祥，
申请(专利权)人：艾华无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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