【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ibc电池制造，特别涉及一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法。
技术介绍
1、太阳能电池作为一种新能源越来越受到大家的关注。ibc太阳能电池由于正、负电极均处于背面，避免了常规太阳能电池正面电极对入射光的遮蔽作用，可以最大限度利用入射光，提升太阳能电池的转化效率。典型的ibc电池结构的背面的p区和n区交叉存在。要实现这样的图形化的薄膜结构，通常需要复杂昂贵的工艺流程。早期，实验室中通过光刻技术来实现图形化薄膜。光刻技术昂贵、复杂，很难应用于大规模生产。近年来，激光成为流行的图形结构的实现方式。但即使激光工艺可以大幅度降低图形化薄膜的工艺难度以及工艺成本，但还是面临着对衬底造成损伤的风险，以及多次镀膜的成本问题。
2、针对以上问题，本专利技术提出一种图形化薄膜的原位沉积方法，可以有效缩短ibc电池的工艺流程，大幅度降低工艺成本。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种图形化薄膜的原位沉积机构及方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为实现上述目...
【技术保护点】
1.一种图形化薄膜的原位沉积机构，其特征在于，包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口（1）、第二反应气体进气口（2），所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）之间设置有惰性气体进气口（3），所述第一反应气体进气口（1）用于通入第一反应气体在硅片上形成第一沉积薄膜，所述第二反应气体进气口（2）用于通入第二反应气体在硅片上形成第二沉积薄膜，所述惰性气体进气口（3）用于通入氮气或氩气。
2.根据权利要求1所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种图形化薄膜的原位沉积机构，其特征在于，包括机械传输平台和反应腔室，所述机械传输平台用于带动硅片移动，所述反应腔室中包括第一反应气体进气口（1）、第二反应气体进气口（2），所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）之间设置有惰性气体进气口（3），所述第一反应气体进气口（1）用于通入第一反应气体在硅片上形成第一沉积薄膜，所述第二反应气体进气口（2）用于通入第二反应气体在硅片上形成第二沉积薄膜，所述惰性气体进气口（3）用于通入氮气或氩气。
2.根据权利要求1所述的图形化薄膜的原位沉积方法，其特征在于，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）的内壁设置有射频电源，所述第一反应气体进气口（1）和所述第二反应气体进气口（2）朝向硅片的一端设置有锥形喷嘴，所述锥形喷嘴的开口的范围为0.1-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：宣荣卫，孙胜华，钱刚祥，
申请(专利权)人：艾华无锡半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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